[發明專利]一種自發光顯示裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 202011456515.4 | 申請日: | 2020-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN112563291A | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發明(設計)人: | 商慧榮;賴谷皇 | 申請(專利權)人: | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210033 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種自發光顯示裝置,其特征在于:包括基板、位于基板上的柵極、覆蓋柵極的柵極絕緣層、位于柵極絕緣層上的溝道層、分別位于溝道層左右兩側的源極和漏極、覆蓋源極和漏極的第一鈍化層、覆蓋柵極絕緣層的第二鈍化層、覆蓋第一鈍化層的第一平坦層、覆蓋第二鈍化層的第二平坦層以及覆蓋第二平坦層的填充層。
2.一種自發光顯示裝置的制造方法,其特征在于:包括如下步驟:
S1:在基板上形成柵極;
S2:在步驟S1基礎上,形成覆蓋柵極的柵極絕緣層;
S3:在步驟S2基礎上,形成位于柵極絕緣層上的溝道層;
S4:在步驟S3基礎上,形成分別位于溝道層左右兩側的源極和漏極;
S5:在步驟S4基礎上,形成覆蓋源極和漏極的第一鈍化層和覆蓋柵極絕緣層的第二鈍化層;
S6:在步驟S5基礎上,形成覆蓋第一鈍化層的第一平坦層和覆蓋第二鈍化層的第二平坦層;
S7:在步驟S6基礎上,形成覆蓋第二平坦層的填充層。
3.根據權利要求3所述的自發光顯示裝置的制造方法,其特征在于:步驟S7填充層的制備包括如下步驟:
S71:在第一平坦層和第二平坦層上涂覆負性光刻膠;
S72:使用制作源極漏極時的第一光罩置于所述負性光刻膠的上方,并對所述負性光刻膠進行曝光處理,位于源極漏極上方的負性光刻膠被除去;
S73:在步驟S72基礎上,使用制作柵極時的第二光罩對被保留的負性光刻膠再次曝光顯影處理,第二平坦層上方的負性光刻膠被保留即填充層。
4.根據權利要求3所述的自發光顯示裝置的制造方法,其特征在于:步驟S7填充層的制備包括如下步驟:
S71:在第一平坦層和第二平坦層上涂覆光刻膠;
S72:利用柵極和源漏極作為掩膜版,從靠近基底的一側對所述光刻膠進行曝光顯影處理,得到一層圖形化的填充層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





