[發(fā)明專利]OLED器件的制備方法及OLED器件

有效

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• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN112599711B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 彭燦
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L21/02
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 杜蕾

1.一種OLED器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

S10，在一襯底基板上制備陽極金屬層；

S20，在所述陽極金屬層上采用噴墨打印工藝制備空穴注入層，若檢測出所述空穴注入層的表面發(fā)生成膜不均勻現(xiàn)象，則對所述空穴注入層進行第一返工清洗流程后重新制備所述空穴注入層，直至所述空穴注入層的表面不發(fā)生成膜不均勻現(xiàn)象；其中，所述第一返工清洗流程包括溶劑噴淋制程、剝離液噴淋制程、水噴淋制程、清潔干燥空氣熱風(fēng)風(fēng)刀制程以及第一復(fù)烘烤制程；

S30，在所述空穴注入層上采用噴墨打印工藝制備空穴傳輸層，若檢測出所述空穴傳輸層的表面發(fā)生成膜不均勻現(xiàn)象，則對所述空穴傳輸層進行第二返工清洗流程后重新制備所述空穴傳輸層，直至所述空穴傳輸層的表面不發(fā)生成膜不均勻現(xiàn)象；其中，所述第二返工清洗流程包括第一段所述溶劑噴淋制程、第二段所述溶劑噴淋制程、第三段所述溶劑噴淋制程、氮氣熱風(fēng)風(fēng)刀制程以及第二復(fù)烘烤制程；

S40，在所述空穴傳輸層上采用噴墨打印工藝制備有機發(fā)光層，若檢測出所述有機發(fā)光層的表面發(fā)生成膜不均勻現(xiàn)象，則對所述有機發(fā)光層進行所述第二返工清洗流程后重新制備所述有機發(fā)光層，直至所述有機發(fā)光層的表面不發(fā)生成膜不均勻現(xiàn)象；

S50，依次在所述有機發(fā)光層上沉積電子傳輸層、電子注入層以及陰極金屬層，最后得到所述OLED器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件的制備方法，其特征在于，所述第一返工清洗流程處于密封的清潔干燥空氣氛圍，所述第二返工清洗流程處于密封的氮氣氛圍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件的制備方法，其特征在于，所述剝離液噴淋制程中采用的剝離液為單乙醇胺、二甲亞砜以及四甲基氫氧化胺中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件的制備方法，其特征在于，所述第一復(fù)烘烤制程的烘烤溫度為200~250℃，所述第一復(fù)烘烤制程的烘烤時間為5min~25min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件的制備方法，其特征在于，所述溶劑噴淋制程中采用的有機溶劑為2,3-丁二醇、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、一縮二丙二醇一甲醚、苯、丙酮、四氯化碳、己烷以及二甲苯中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件的制備方法，其特征在于，所述第二復(fù)烘烤制程的烘烤溫度為160~230℃，所述第二復(fù)烘烤制程的烘烤時間為5min~25min。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件的制備方法，其特征在于，所述噴墨打印工藝包括滴入有機墨水階段、冷真空干燥階段以及烘烤階段。

8.一種OLED器件，其特征在于，所述OLED器件由如權(quán)利要求1至7任一項所述的OLED器件的制備方法制備而成。