[發明專利]蒸發源以及包括該蒸發源的沉積設備

在審

• 申請號: 202011454479.8
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN112981328A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 金振杰
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/54
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 翟洪玲;周艷玲

本公開涉及一種蒸發源以及包括該蒸發源的沉積設備。蒸發源和沉積設備可包括：儲存部，包括坩堝以及將由所述坩堝形成的空間劃分為多個內部空間的分隔件；液位控制部，設置在所述多個內部空間中的每個中，并且將所述多個內部空間中的每個劃分為多個子空間，所述液位控制部在平面圖中具有格子結構；噴嘴部，所述噴嘴部設置在所述儲存部上且用于噴射所述沉積源材料；殼體，所述儲存部和所述噴嘴部設置在所述殼體中；以及加熱部，所述加熱部設置在所述儲存部與所述殼體之間且用于加熱所述坩堝。

相關申請的交叉引用

本專利申請要求于2019年12月16日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0168256號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本公開涉及一種蒸發源以及包括該蒸發源的沉積設備，更具體地，涉及一種包括抑制沉積源材料的波動的液位控制部的蒸發源以及包括該蒸發源的沉積設備。

背景技術

物理氣相沉積(PVD)方法(例如，真空蒸發方法、離子鍍方法或濺鍍方法)或利用氣體反應的化學氣相沉積(CVD)方法用于在基板上形成薄膜。

用于執行真空沉積的沉積設備具有蒸發源，蒸發源包括容納沉積源材料的儲存部、加熱儲存部的加熱部以及噴射沉積源材料的噴嘴部。

蒸發源中的一種是在特定方向上延伸的直線型蒸發源。直線型蒸發源可用于在大面積的基板上有效地形成沉積層。

發明內容

本發明構思的實施例提供一種蒸發源以及包括該蒸發源的沉積設備，所述蒸發源允許在整個沉積工藝中以恒定的沉積速率執行沉積工藝。

根據本發明構思的實施例，一種蒸發源可包括儲存部、液位控制部、噴嘴部、殼體和加熱部。

在一實施例中，所述儲存部可以是儲存結構，并且可包括用于容納沉積源材料的坩堝以及將由所述坩堝形成的空間劃分為多個內部空間的分隔件。

在一實施例中，所述坩堝可包括矩形的底部，所述底部的長邊在第一方向上延伸并且所述底部的短邊在與所述第一方向正交的第二方向上延伸；和側壁部，所述側壁部從所述底部在與所述第一方向和所述第二方向兩者相交的第三方向上延伸。

在一實施例中，所述分隔件可被設置為與所述坩堝的長邊相交。所述側壁部在所述第三方向上的高度可大于所述分隔件在所述第三方向上的高度。

在一實施例中，所述液位控制部可將作為所述坩堝的由所述分隔件限定的內部空間的空間中的每個劃分為多個子空間。

在一實施例中，所述液位控制部可在平面圖中具有格子結構。所述液位控制部可分別設置在作為所述坩堝的由所述分隔件限定的內部空間的空間中，并且可永久地固定到所述儲存部或分別可拆卸地插入到所述多個內部空間中。

在一實施例中，所述液位控制部在所述第三方向上的高度可等于或小于所述分隔件的高度。

在一實施例中，所述液位控制部可包括用作多個分隔壁的第一板和第二板。所述第一板可具有平行于由所述第一方向和所述第三方向形成的平面的平坦表面。所述第二板可設置為與所述第一板相交，并且可具有平行于由所述第二方向和所述第三方向形成的平面的平坦表面。

在一實施例中，所述第一板可包括第一開口，所述第一開口形成在所述第一板的至少一個邊緣部處，并且允許所述沉積源材料通過所述第一開口連通。所述第二板可包括第二開口，所述第二開口形成在所述第二板的至少一個邊緣部處，并且允許所述沉積源材料通過所述第二開口連通。

在一實施例中，所述儲存部可進一步包括緊固部，所述緊固部設置在所述坩堝的底部上，并且結合到所述第一開口或所述第二開口以緊固所述液位控制部。