[發明專利]多電平單元（MLC）交叉點存儲器

在審

• 申請號: 202011452135.3
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN113450855A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: S·蘭格恩;K·潘加爾
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊

1.一種存儲器器件，包括：

交叉點存儲器單元的陣列，所述交叉點存儲器單元中的每一個包括存儲器元件和開關元件；以及

電路，所述電路用于獨立地設置所述陣列的交叉點存儲器單元的所述存儲器元件的狀態和所述開關元件的狀態，以將所述交叉點存儲器單元編程到多個邏輯值中的一個；

所述多個邏輯值包括：

對應于低量值閾值電壓的第一邏輯值，

對應于高量值閾值電壓的第二邏輯值，以及

對應于中間閾值電壓的第三邏輯值，所述中間閾值電壓具有小于所述高量值閾值電壓并且大于所述低量值閾值電壓的量值。

2.根據權利要求1所述的存儲器器件，其中：

所述第一邏輯值對應于所述存儲器元件和所述開關元件兩者的低電阻狀態；并且

所述第二邏輯值對應于所述交叉點存儲器單元的所述存儲器元件和所述開關元件兩者的高電阻狀態。

3.根據權利要求2所述的存儲器器件，其中：

所述第三邏輯值對應于所述存儲器元件的所述高電阻狀態和所述開關元件的所述低電阻狀態。

4.根據權利要求2所述的存儲器器件，其中：

所述第三邏輯值對應于所述存儲器元件的中間電阻狀態和開關元件的中間電阻狀態。

5.根據權利要求3所述的存儲器器件，其中，所述多個邏輯值包括：

第四邏輯值，所述第四邏輯值對應于所述存儲器元件的所述低電阻狀態和所述開關元件的所述高電阻狀態。

6.根據權利要求4所述的存儲器器件，其中，所述多個邏輯值包括：

第四邏輯值，所述第四邏輯值對應于所述存儲器元件的第二中間電阻狀態和所述開關元件的第二中間電阻狀態。

7.根據權利要求3所述的存儲器器件，其中，所述電路用于將所述交叉點存儲器單元編程到所述第三邏輯值，包括用于：

在確定所述存儲器元件處于所述高電阻狀態之后，將電流施加到所述交叉點存儲器單元，以使所述開關元件處于所述低電阻狀態。

8.根據權利要求7所述的存儲器器件，其中，用于將所述交叉點存儲器單元編程到所述第三邏輯值的所述電路用于：

在編程之前確定所述存儲器元件的電阻狀態；并且

如果在編程之前所述存儲器元件處于所述低電阻狀態：

在施加所述電流以使所述開關元件處于所述低電阻狀態之前，施加較高量值的電流，以使所述存儲器元件處于所述高電阻狀態。

9.根據權利要求4所述的存儲器器件，其中，所述電路用于將所述交叉點存儲器單元編程到所述第三邏輯值，包括用于：

將電流施加到所述交叉點存儲器單元，以使所述開關元件和所述存儲器元件處于所述中間電阻狀態。

10.根據權利要求5所述的存儲器器件，其中，所述電路用于將所述交叉點存儲器單元編程到所述第四邏輯值，包括用于：

在確定所述存儲器元件處于所述低電阻狀態之后，將電流施加到所述交叉點存儲器單元，以使所述開關元件處于所述高電阻狀態。

11.根據權利要求10所述的存儲器器件，其中，用于將所述交叉點存儲器單元編程到所述第四邏輯值的所述電路用于：

在編程之前確定所述存儲器元件的電阻狀態；并且

如果在編程之前所述存儲器元件處于所述高電阻狀態：

在施加所述電流以使所述開關元件處于所述高電阻狀態之前，施加較低量值的電流，以使所述存儲器元件處于所述低電阻狀態。

12.根據權利要求6所述的存儲器器件，其中，所述電路用于將所述交叉點存儲器單元編程到所述第四邏輯值，包括用于：

將電流施加到所述交叉點存儲器單元，以使所述開關元件和所述存儲器元件處于所述第二中間電阻狀態；并且

其中，所述電流具有小于使所述存儲器元件處于高電阻狀態的電流的量值。