[發明專利]多電平單元（MLC）交叉點存儲器

在審

• 申請號: 202011452135.3
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN113450855A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: S·蘭格恩;K·潘加爾
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊

多電平單元(MLC)交叉點存儲器單元可以每單元存儲多于1位。在一個示例中，可以通過獨立地改變開關元件和存儲器元件的狀態來實現用于交叉點存儲器的MLC寫入操作。該存儲器單元可以被編程到多種狀態，例如高閾值電壓狀態(其中，存儲器元件和開關元件兩者呈現高閾值電壓或電阻)、低閾值電壓狀態(其中，存儲器元件和選擇元件兩者呈現低閾值電壓或電阻)、以及一種或多種中間電阻狀態。在一個示例中，可以通過將開關元件和存儲器元件設置成相反狀態(例如，開關元件和存儲器元件中的一個處于高電阻狀態，并且另一個處于低電阻狀態)或者通過將開關元件和存儲器元件兩者置于不同的中間狀態，來編程附加電阻狀態。

技術領域

說明書總體上涉及存儲器，并且更特別地，涉及用于存取多電平單元(MLC)交叉點存儲器的技術。

背景技術

存儲器資源在電子設備和其他計算環境中具有非常多的應用。存在對可以縮放得比傳統存儲器器件更小的存儲器技術的需求。然而，對更小并且更高能量效率的器件的持續驅動已經導致傳統存儲器器件的縮放問題。三維存儲器器件作為對傳統存儲器器件縮放限制的解決方案而出現。

附圖說明

以下描述包括對附圖的討論，附圖具有通過本發明的實施例的實施方式的示例的方式而給出的圖示。應當以示例的方式而非限制的方式來理解附圖。如本文所用，對一個或多個“實施例”的引用要被理解為描述包括一個或多個特定特征、結構或特性的本發明的至少一個實施方式。因此，本文中出現的諸如“在一個實施例中”或“在替代實施例中”的短語描述了本發明的各種實施例和實施方式，并且未必全部指相同的實施例。然而，它們也未必相互排斥。

圖1是存儲器單元的示例。

圖2A和圖2B是示出用于交叉點存儲器的多位編碼的示例的表格。

圖3A示出了單電平交叉點單元的閾值電壓分布的示例。

圖3B示出了多電平交叉點單元的閾值電壓分布的示例。

圖4A-圖4H示出了用于寫入到MLC交叉點存儲器單元的電流波形的示例。

圖5示出了用于從MLC交叉點存儲器單元讀取的多個讀取電壓的示例。

圖6A-圖6G示出了用于從MLC交叉點存儲器單元讀取的電流波形的示例。

圖7A示出了交叉點存儲器單元的編程轉移特性圖的示例。

圖7B示出了使存儲器單元從設置狀態轉變到重置狀態的電流脈沖的示例。

圖8A示出了交叉點存儲器單元的編程轉移特性圖的示例。

圖8B示出了用于將存儲器元件置于高電阻狀態并且關斷開關元件效應的電流脈沖的示例。

圖9示出了交叉點器件的編程轉移特性圖，其具有用于引起本文所述各種狀態轉變的電流幅度的示例。

圖10是交叉點存儲器單元的示例。

圖11示出了存儲器單元陣列的一部分的示例。

圖12是可以包括實施本文所述的MLC存取技術的非易失性存儲器器件的系統的框圖。

圖13提供了可以包括實施本文所述的MLC存取技術的非易失性存儲器器件的計算系統的示例性描繪。

下面是對某些細節和實施方式的描述，包括對附圖的描述，附圖可以描繪下述實施例的一些或全部，并且討論本文給出的發明概念的其他潛在實施例或實施方式。

具體實施方式

描述了多電平單元(MLC)交叉點存儲器。