[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202011451732.4
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN113013161A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 尹承燦;韓東煥
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 翟然

1.一種半導體器件，包括：

基板，包括第一區域和第二區域，

在所述基板的所述第一區域上的第一晶體管，所述第一晶體管包括：

第一半導體圖案，在垂直方向上從所述基板的所述第一區域的上表面突出；

第一柵極結構，覆蓋所述第一半導體圖案的上表面和側壁；以及

第一源極/漏極層，在所述第一半導體圖案的在所述第一柵極結構的相反側處的相應部分上，與所述第一柵極結構的最上表面在所述垂直方向上到所述基板相比，所述第一源極/漏極層的上表面在所述垂直方向上更靠近所述基板；和

在所述基板的所述第二區域上的第二晶體管，所述第二晶體管包括：

第二半導體圖案，在所述垂直方向上從所述基板的所述第二區域的上表面突出；

第二柵極結構，覆蓋所述第二半導體圖案的側壁；

第二源極/漏極層，在所述基板的所述第二區域的上部處且在所述第二半導體圖案下面；以及

在所述第二半導體圖案上的第三源極/漏極層，

其中所述基板的所述第一區域的所述上表面低于所述基板的所述第二區域的所述上表面。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中與所述第三源極/漏極層的上表面在所述垂直方向上到所述基板相比，所述第一柵極結構的所述最上表面在所述垂直方向上更靠近所述基板。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一半導體圖案和所述第二半導體圖案的每個包括與所述基板的材料相同的材料。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括在所述基板的所述第一區域上的第一間隔物和在所述基板的所述第二區域上的第二間隔物，

其中所述第一柵極結構在所述第一間隔物上，所述第二柵極結構在所述第二間隔物上。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，還包括：

第三間隔物，覆蓋所述第一柵極結構的側壁；

第四間隔物，覆蓋所述第一源極/漏極層的側壁；以及

第五間隔物，覆蓋所述第二柵極結構的側壁，

其中所述第三間隔物和所述第四間隔物在所述第一間隔物上，所述第五間隔物在所述第二間隔物上。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中：

所述第一柵極結構在平行于所述基板的上表面的第二方向上縱向地延伸，所述第一源極/漏極層在平行于所述基板的所述上表面且與所述第二方向交叉的第一方向上分別在所述第一柵極結構的相反側，

所述第二柵極結構在所述第一方向上縱向地延伸并覆蓋所述第二半導體圖案的所述側壁，以及

所述半導體器件還包括：

第六間隔物，在所述第一柵極結構的在所述第一半導體圖案的沿所述第二方向的相反側處的相應部分上；和

第七間隔物，在所述第二柵極結構的在所述第二半導體圖案的沿所述第一方向的相反側處的相應部分上。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中：

所述第一柵極結構包括從所述第一半導體圖案的表面和所述第一間隔物的上表面依次堆疊的第一界面圖案、第一柵極絕緣圖案和第一柵電極，以及

所述第二柵極結構包括從所述第二半導體圖案的側壁和所述第二間隔物的上表面依次堆疊的第二界面圖案、第二柵極絕緣圖案以及第二柵電極。

8.根據權利要求5所述的半導體器件，其中：

所述第一柵極結構包括在所述第一半導體圖案的表面上的第一界面圖案以及從所述第一界面圖案的表面、所述第一間隔物的上表面和所述第三間隔物的內側壁依次堆疊的第一柵極絕緣圖案、第一功函數控制圖案和第一柵電極，以及

所述第二柵極結構包括在所述第二半導體圖案的表面上的第二界面圖案以及從所述第二界面圖案的表面、所述第二間隔物的上表面和所述第五間隔物的內側壁依次堆疊的第二柵極絕緣圖案、第二功函數控制圖案和第二柵電極。