[發明專利]一種半導體分立器用硅外延生長擴散輔助設備

在審

• 申請號: 202011449293.3
• 申請日: 2020-12-09
• 公開（公告）號: CN112626615A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 黃夢蕾
• 申請（專利權）人: 黃夢蕾
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B25/02;C30B25/14;H01L21/02
• 代理公司: 北京恒泰銘睿知識產權代理有限公司 11642
• 代理人: 王雨

本發明涉及半導體分立器制造技術領域，且公開了一種半導體分立器用硅外延生長擴散輔助設備，包括擴散輔助機構，所述擴散輔助機構的中心設有襯底，襯底的外側活動連接有固定板，固定板的外側活動連接有連接件。該半導體分立器用硅外延生長擴散輔助設備，通過四氯化硅和氫氣的反應進而產生硅和氯化氫，從而該過程在調和環的配合下被完成，在完成的過程中，四氯化硅和氫氣的反應會在離子倉內部的感應電流的處理下，從而使生成的硅材料被附有帶電粒子，從而使附有帶電粒子的硅材料，通過導管的傳遞，使固定板內側的襯底的上方沉積有硅材料，從而減少了人為調和可能產生的雜質，從而使硅材料的調和度升高。

技術領域

本發明涉及半導體分立器制造技術領域，具體為一種半導體分立器用硅外延生長擴散輔助設備。

背景技術

半導體晶體二極管也叫做半導體分立器件，隨著電子整機、消費類電子產品以及微電子行業的高速發展，半導體晶體二極管也隨著市場的需求開始高速發展，而半導體晶體二極管主要依靠PN結來進行工作，從而來控制信號和放大信號等。

半導體晶體二極管根據制造材質的不同分為鍺以及硅材料等，其中硅材料的生產主要采用硅氣相外延的方法，來生產二極管，即在電阻率低的襯底上生長一層高電阻的外延層，器件制作在外延層上，但是現有硅材料二極管對二極管摻雜度要求較高，人工控制外延硅的生產易使硅材料的內部雜質變多，從而不利于硅材料的成型度，從而影響半導體的數據接受速率。

針對上述問題，本發明提出一種半導體分立器用硅外延生長擴散輔助設備，具有雜質干擾少和外延效果好的優點。

發明內容

(一)解決的技術問題

針對現有技術的不足，本發明提供了一種半導體分立器用硅外延生長擴散輔助設備，具備雜質干擾少和外延效果好的優點，解決了雜質干擾多和外延效果差的問題。

(二)技術方案

為解決上述技術問題，本發明提供如下技術方案：

一種半導體分立器用硅外延生長擴散輔助設備，包括擴散輔助機構，所述擴散輔助機構的中心設有襯底，襯底的外側活動連接有固定板，固定板的外側活動連接有連接件，固定板的頂部固定連接有導管，導管的頂部固定連接有環管，環管的頂部活動連接有調和環，調和環的內部設有離子倉，離子倉的內部活動連接有轉軸，轉軸的外側固定連接有攪板，攪板的外側設有磁鐵，調和環的頂部固定連接有弧管，弧管的外側固定連接有風管，風管的內側活動連接有支撐柱，支撐柱的底部活動連接有彈簧，風管的內側活動連接有氫氣扇，弧管的頂部固定連接有整流球，整流球的外側固定連接有異形管，異形管的頂部固定連接有液體倉，液體倉的內部轉動連接有轉動輪，轉動輪的頂部活動連接有硅倉，硅倉的內部活動連接有滾球，滾球的外側設有噴頭。

優選的，所述固定板的數目為四個，且四個固定板均勻分布在襯底的外側。

優選的，所述固定板的數目和導管的數目相同，且固定板通過導管和環管活動連接。

優選的，所述離子倉的數目為三個，且三個離子倉均勻分布在調和環的內部。

優選的，所述攪板的數目為三個，且三個攪板均勻分布在轉軸的外側。

優選的，所述氫氣扇的左右兩側均設有支撐柱，且氫氣扇均勻分布在調和環的外側。

優選的，所述硅倉的內部設有四氯化硅，且滾球的數目是硅倉數目的兩倍。

(三)有益效果

與現有技術相比，本發明提供了一種半導體分立器用硅外延生長擴散輔助設備，具備以下有益效果：