[發明專利]硫酸奈替米星中Cd、Pd、As、Co、V、Ni殘留量的檢測方法在審
| 申請號: | 202011448822.8 | 申請日: | 2020-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN112697776A | 公開(公告)日: | 2021-04-23 |
| 發明(設計)人: | 周燕;何凌;姜吳斌 | 申請(專利權)人: | 無錫福祈制藥有限公司 |
| 主分類號: | G01N21/73 | 分類號: | G01N21/73;G01N1/38;G01N1/44 |
| 代理公司: | 北京商專潤文專利代理事務所(普通合伙) 11317 | 代理人: | 蘇霞 |
| 地址: | 214000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硫酸 奈替米星中 cd pd as co ni 殘留 檢測 方法 | ||
本發明提供了一種硫酸奈替米星中Cd、Pd、As、Co、V、Ni殘留量的檢測方法,包括5個步驟,步驟(1)制備線性儲備液和線性溶液;步驟(2)制備供試品溶液;步驟(3)制備加標供試品溶液;步驟(4)取線性溶液在ICP中進行測定,記錄譜圖,以進樣濃度為橫坐標,峰面積為縱坐標,進行線性回歸,獲得回歸方程;步驟(5)根據步驟(2)、(3)依次對供試品溶液、加標供試品溶液進行測定,并對加標供試品溶液進行重復性中間精密度以及回收率測定。本發明通過5個步驟實現了對硫酸奈替米星中Cd、Pb、As、Co、V、Ni殘留量的高效測定,操作步驟簡單,靈敏度好,確保藥品安全、有效、質量可控。
技術領域
本發明涉及元素雜質檢測技術領域,尤其涉及硫酸奈替米星中Cd、Pd、As、Co、V、Ni殘留量的檢測方法。
背景技術
等離子體發射光譜分析法是光譜分析技術中,以等離子體炬作為激發光源的一種發射光譜分析技術。其中以電感耦合等離子體(ICP)作為激發光源的發射光譜分析方法,簡稱為ICP-OES,是光譜分析中研究較為深入和應用較為廣泛、有效的分析技術之一。電感耦合等離子體焰矩溫度可達6000~8000K,當將試樣由進樣器引入霧化器,并被氬載氣帶入焰矩時,則試樣中組分被原子化、電離、激發,以光的形式發射出能量。不同元素的原子在激發或電離時,發射不同波長的特征光譜,故根據特征光的波長可進行定性分析;元素的含量不同時,發射特征光的強弱也不同,據此可進行定量分析。
硫酸奈替米星是一種半合成的氨基糖苷類抗生素,為白色或類白色粉末或疏松塊狀物;無臭;有引濕性。硫酸奈替米星分子式為C42H92N10O34S5,分子量為1441.55。
有關研究表明,奈替米星具有廣泛的抗菌作用,主要針對革蘭氏陰性桿菌和少數革蘭氏陽性菌,對于大部分對氨基糖苷類抗生素有耐藥性的菌株仍有抗菌活性。其耳腎毒性較慶大霉素、妥布霉素、卡那霉素、阿米卡星低。臨床應用均為其硫酸鹽。目前主要有硫酸奈替米星注射液、注射用硫酸奈替米星及硫酸奈替米星滴眼液三種劑型。
目前,在硫酸奈替米星的生產過程中使用原輔料、工藝設備、工藝用水時,可能會引入Cd、Pb、As、Co、V、Ni元素雜質。如果硫酸奈替米星中Cd、Pb、As、Co、V、Ni含量過高,則會導致未知副作用的產生,并嚴重影響硫酸奈替米星的治療效果。因此,有效維護患者利益,確保藥品安全、有效、質量可控,有必要在現有技術基礎之上揭示出一種能檢出硫酸奈替米星中Cd、Pb、As、Co、V、Ni含量的檢測方法。
發明內容
本發明的目的在于公開一種硫酸奈替米星中Cd、Pd、As、Co、V、Ni殘留量的檢測方法,用以實現對生產過程中所殘留的Cd、Pb、As、Co、V、Ni元素含量的高效檢測效。
為實現上述目的,本發明提供一種硫酸奈替米星中Cd、Pd、As、Co、V、Ni殘留量的檢測方法,包括以下步驟:
步驟(1)、取Cd、Pb、As、Co、V、Ni元素標準溶液適量,以硝酸溶液稀釋,制成線性儲備液;再取線性儲備液,以硝酸溶液稀釋,制成線性溶液;
步驟(2)、取硫酸奈替米星于聚四氟乙烯罐中,加硝酸進行消解,加硝酸溶液稀釋,制成供試品溶液;
步驟(3)、取硫酸奈替米星適量于聚四氟乙烯罐中,加硝酸進行消解,加入線性儲備液,以硝酸溶液稀釋,制成加標供試品溶液;
步驟(4)、取線性溶液在ICP中進行測定,記錄譜圖,以進樣濃度為橫坐標,峰面積為縱坐標,進行線性回歸,獲得回歸方程;
步驟(5)、根據上述步驟(2)、(3)依次對供試品溶液、加標供試品溶液進行測定,并對加標供試品溶液進行重復性中間精密度以及回收率測定。
在一些實施方式中,步驟(1)中硝酸溶液的質量分數為2%。
在一些實施方式中,步驟(2)中硝酸溶液的質量分數為2%。
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