[發明專利]一種鈮酸鋰電光調制器及其制備方法

在審

• 申請號: 202011448550.1
• 申請日: 2020-12-09
• 公開（公告）號: CN114609805A
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發明（設計）人: 陳玉萍;劉一岸;陳險峰;顏雄碩
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01;G02F1/03;G02F1/035
• 代理公司: 上海旭誠知識產權代理有限公司 31220
• 代理人: 鄭立

1.一種鈮酸鋰電光調制器，包括波導、電極、電介質和覆蓋層，其特征在于，所述覆蓋層被設置在所述波導和所述電極的表面，并覆蓋所述波導和所述電極的表面；所述電介質設置在所述波導與所述電極之間。

2.如權利要求1所述的鈮酸鋰電光調制器，其特征在于，所述電介質所采用的材料的介電常數大于所述覆蓋層的材料的介電常數。

3.如權利要求2所述的鈮酸鋰電光調制器，其特征在于，所述波導包括單脊型波導，所述單脊型波導包括第一脊型波導，所述電極包含第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極被分別設置于所述第一脊型波導的兩側。

4.如權利要求3所述的鈮酸鋰電光調制器，其特征在于，所述電介質包括第一部分和第二部分，所述第一部分被設置于所述第一電極與所述第一脊型波導之間，所述第二部分被設置于所述第二電極與所述第一脊型波導之間。

5.如權利要求2所述的鈮酸鋰電光調制器，其特征在于，所述波導包括雙脊型波導，所述雙脊型波導包括第二脊型波導與第三脊型波導，所述電極包含第三電極、第四電極以及第五電極，所述第三電極被設置于所述第二脊型波導的外側，所述第四電極被設置于所述第二脊型波導與所述第三脊型波導之間，所述第五電極被設置于所述第三脊型波導外側。

6.如權利要求5所述的鈮酸鋰電光調制器，其特征在于，所述電介質包括第三部分、第四部分、第五部分、第六部分，所述第三部分被設置于所述第三電極與所述第二脊型波導之間，所述第四部分被設置于所述第二脊型波導與所述第四電極之間，所述第五部分被設置于所述第四電極與所述第三脊型波導之間，所述第六部分被設置于所述第三脊型波導與所述第五電極之間。

7.如權利要求6所述的鈮酸鋰電光調制器，其特征在于，所述雙脊型波導的材料包括X或Y切絕緣體上鈮酸鋰薄膜。

8.如權利要求7所述的鈮酸鋰電光調制器，其特征在于，所述絕緣體包括二氧化硅絕緣層。

9.如權利要求8所述的鈮酸鋰電光調制器，其特征在于，所述絕緣層被設置于半導體或介電體襯底上。

10.如權利要求9所述的鈮酸鋰電光調制器，其特征在于，所述雙脊型波導、所述多個電極、所述電介質的多個部分上，設置有覆蓋層。

11.如權利要求10所述的鈮酸鋰電光調制器，其特征在于，所述覆蓋層的材料包括二氧化硅。

12.如權利要求1所述的鈮酸鋰電光調制器，其特征在于，所述電介質的材料包括氮化鋁，所述電極的材料包括金，所述波導的材料包括鈮酸鋰。

13.一種鈮酸鋰電光調制器的制備方法，具體包括以下步驟：

步驟一、在半導體或介電體襯底上設置絕緣體上鈮酸鋰薄膜；

步驟二、對所述鈮酸鋰薄膜進行蝕刻，得到脊型波導；

步驟三、在所述脊型波導的兩側鍍多個電極；

步驟四、在所述多個電極與所述脊型波導的脊部之間沉積電介質；

步驟五、在所述脊型波導、所述多個電極以及所述電介質上設置覆蓋層。

14.如權利要求13所述的鈮酸鋰電光調制器的制備方法，其特征在于，步驟一中，所述半導體襯底的材料包括硅，所述介電體襯底的材料包括鈮酸鋰或石英，所述絕緣體包括二氧化硅絕緣層。

15.如權利要求13所述的鈮酸鋰電光調制器的制備方法，其特征在于，步驟一中，所述鈮酸鋰薄膜為X或Y切。

16.如權利要求13所述的鈮酸鋰電光調制器的制備方法，其特征在于，步驟二中，采用光刻和蝕刻工藝在所述鈮酸鋰薄膜上加工出所述脊型波導。