[發明專利]一種轉移基板及其制作方法、轉移方法有效
| 申請號: | 202011446534.9 | 申請日: | 2020-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN112599466B | 公開(公告)日: | 2023-02-10 |
| 發明(設計)人: | 李曉虎;張明輝;崔曉鵬 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京風雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人: | 王剛 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 轉移 及其 制作方法 方法 | ||
本說明書一個或多個實施例提供一種轉移基板及其制作方法、轉移方法。所述轉移基板,包括:依次層疊設置的第一柔性電極層、介電彈性體層、第二柔性電極層和柔性電路層;所述柔性電路層遠離所述第二柔性電極層一側的表面上設置有陣列排布的晶片電極;所述晶片電極用于拾取微發光二極管晶片;所述第一柔性電極層和所述第二柔性電極層,用于向所述介電彈性體層施加電場;所述介電彈性體層,用于在所述電場作用下帶動所述柔性電路層伸展,以增大所述晶片電極的間距。本公開的方案能夠簡單、高效的實現在轉移過程中擴大微發光二極管晶片間距的效果。
技術領域
本說明書一個或多個實施例涉及顯示技術領域,尤其涉及一種轉移基板及其制作方法、轉移方法。
背景技術
微發光二極管(Micro LED)顯示面板與傳統的液晶顯示面板相比,具有分辨率更高、對比度更好、響應時間更快及能耗更低等優點,因而被視為下一代顯示技術。
在相關技術中,微發光二極管晶片只能通過在晶圓襯底上外延生長制備,然后通過轉移基板將幾萬至幾十萬個微發光二極管晶片轉移到目標基板上形成LED陣列,這一過程被稱為“巨量轉移(MassTransfer)”。然而,如何將微發光二極管晶片進行高效的轉移,特別是如何在轉移中簡單高效的控制轉移微發光二極管晶片的間距,是一項亟待解決的技術難題。
發明內容
有鑒于此,本說明書一個或多個實施例的目的在于提出一種轉移基板及其制作方法、轉移方法。
基于上述目的,本說明書一個或多個實施例提供了一種轉移基板,包括:依次層疊設置的第一柔性電極層、介電彈性體層、第二柔性電極層和柔性電路層;
所述柔性電路層遠離所述第二柔性電極層一側的表面上設置有陣列排布的晶片電極;所述晶片電極用于拾取微發光二極管晶片;
所述第一柔性電極層和所述第二柔性電極層,用于向所述介電彈性體層施加電場;
所述介電彈性體層,用于在所述電場作用下帶動所述柔性電路層伸展,以增大所述晶片電極的間距。
在一些實施方式中,所述柔性電路層,包括:在靠近所述第二柔性電極層到遠離所述第二柔性電極層的方向上依次層疊設置的彈性層和封裝電路層;
所述彈性層,用于隨所述介電彈性體層一起帶動所述封裝電路層伸展;
所述封裝電路層遠離所述第二柔性電極層一側的表面設置所述晶片電極;所述封裝電路層內設置有金屬導線;所述金屬導線與所述晶片電極相連,用于控制所述晶片電極的通電狀態以執行拾取動作;
在非伸展狀態下,所述彈性層和所述封裝電路層呈褶皺結構,所述金屬導線沿所述封裝電路層的褶皺延伸。
基于同一發明構思,本說明書一個或多個實施例還提供了一種使用如上任意一項所述的轉移基板的轉移方法,包括:
將所述轉移基板與晶圓襯底對位,并控制所述晶片電極拾取所述晶圓襯底上的微發光二極管晶片;
將所述轉移基板與目標基板對位;
通過所述第一柔性電極層和所述第二柔性電極層向所述介電彈性體層施加電場,所述介電彈性體層帶動所述柔性電路層伸展,以增大所述晶片電極的間距,并相應增大所述微發光二極管晶片的間距;
使所述轉移基板靠近所述目標基板,令使所述微發光二極管晶片與所述目標基板上的晶片焊點接觸,并控制所述晶片電極釋放所述微發光二極管晶片,以完成所述微發光二極管晶片的轉移。
基于同一發明構思,本說明書一個或多個實施例還提供了轉移基板的制作方法,包括:
提供一第一柔性電極層;
在所述第一柔性電極層上依次層疊設置介電彈性體層、第二柔性電極層和柔性電路層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





