[發明專利]一種轉移基板及其制作方法、轉移方法有效
| 申請號: | 202011446534.9 | 申請日: | 2020-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN112599466B | 公開(公告)日: | 2023-02-10 |
| 發明(設計)人: | 李曉虎;張明輝;崔曉鵬 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京風雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人: | 王剛 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 轉移 及其 制作方法 方法 | ||
1.一種轉移基板,其特征在于,包括:依次層疊設置的第一柔性電極層、介電彈性體層、第二柔性電極層和柔性電路層;所述第一柔性電極層、所述介電彈性體層、所述第二柔性電極層和所述柔性電路層在層疊設置的方向上至少部分投影重合設置;
所述柔性電路層遠離所述第二柔性電極層一側的表面上設置有陣列排布的晶片電極;所述晶片電極用于拾取微發光二極管晶片;
所述第一柔性電極層和所述第二柔性電極層,用于向所述介電彈性體層施加電場;在分批次的釋放微發光二極管晶片時,所述第一柔性電極層和所述第二柔性電極層還用于改變不同批次之間所施加電場的大小,來進一步調整微發光二極管晶片的間距;
所述介電彈性體層,用于在所述電場作用下帶動所述柔性電路層伸展,以增大所述晶片電極的間距。
2.根據權利要求1所述的轉移基板,其特征在于,所述柔性電路層,包括:在靠近所述第二柔性電極層到遠離所述第二柔性電極層的方向上依次層疊設置的彈性層和封裝電路層;
所述彈性層,用于隨所述介電彈性體層一起帶動所述封裝電路層伸展;
所述封裝電路層遠離所述第二柔性電極層一側的表面設置所述晶片電極;所述封裝電路層內設置有金屬導線;所述金屬導線與所述晶片電極相連,用于控制所述晶片電極的通電狀態以執行拾取動作;
在非伸展狀態下,所述彈性層和所述封裝電路層呈褶皺結構,所述金屬導線沿所述封裝電路層的褶皺延伸。
3.根據權利要求2所述的轉移基板,其特征在于,在伸展狀態下,所述封裝電路層呈平坦結構,所述金屬導線在所述封裝電路層內平坦的延伸。
4.根據權利要求1所述的轉移基板,其特征在于,所述第一柔性電極層、所述介電彈性體層、所述第二柔性電極層和所述柔性電路層在其層疊設置的方向上投影重合。
5.根據權利要求1所述的轉移基板,其特征在于,所述介電彈性體層的材質為硅橡膠、丙烯酸樹脂或聚氨酯。
6.一種使用如權利要求1至5任意一項所述的轉移基板的轉移方法,其特征在于,包括:
將所述轉移基板與晶圓襯底對位,并控制所述晶片電極拾取所述晶圓襯底上的微發光二極管晶片;
將所述轉移基板與目標基板對位;
通過所述第一柔性電極層和所述第二柔性電極層向所述介電彈性體層施加電場,所述介電彈性體層帶動所述柔性電路層伸展,以增大所述晶片電極的間距,并相應增大所述微發光二極管晶片的間距;
使所述轉移基板靠近所述目標基板,令使所述微發光二極管晶片與所述目標基板上的晶片焊點接觸,并控制所述晶片電極釋放所述微發光二極管晶片,以完成所述微發光二極管晶片的轉移。
7.根據權利要求6所述的轉移方法,其特征在于,所述柔性電路層,包括:在靠近所述第二柔性電極層到遠離所述第二柔性電極層的方向上依次層疊設置的彈性層和封裝電路層;所述封裝電路層遠離所述第二柔性電極層一側的表面設置所述晶片電極;所述封裝電路層內設置有金屬導線;所述金屬導線與所述晶片電極相連;在非伸展狀態下,所述彈性層和所述封裝電路層呈褶皺結構,所述金屬導線沿所述封裝電路層的褶皺延伸;
所述通過所述第一柔性電極層和所述第二柔性電極層向所述介電彈性體層施加電場,所述介電彈性體層帶動所述柔性電路層伸展,具體包括:
所述彈性層隨所述介電彈性體層一起帶動所述封裝電路層伸展,以達到伸展狀態;在所述伸展狀態下,所述封裝電路層呈平坦結構,所述金屬導線在所述封裝電路層內平坦的延伸。
8.根據權利要求7所述的轉移方法,其特征在于,所述控制所述晶片電極拾取所述晶圓襯底上的微發光二極管晶片,具體包括:
通過所述金屬導線控制所述晶片電極通電,使所述晶片電極產生靜電力以拾取所述微發光二極管晶片。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





