[發明專利]用于5G通信的陶瓷介質天線及其制備方法有效
| 申請號: | 202011446350.2 | 申請日: | 2020-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN112679214B | 公開(公告)日: | 2022-12-06 |
| 發明(設計)人: | 侯東霞;宋喆;虞成城 | 申請(專利權)人: | 深圳市信維通信股份有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/622 | 分類號: | C04B35/622;C04B35/634;C04B41/88;H01Q1/38;B28B1/54;B28B11/24 |
| 代理公司: | 深圳市博銳專利事務所 44275 | 代理人: | 歐陽燕明 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 通信 陶瓷 介質天線 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于5G通信的陶瓷介質天線的制備方法,其特征在于,包括步驟:
陶瓷介質天線的喂料由如下重量份的原料組成:微波介質瓷粉85~87份,精蠟7~10份、PMMA 5~15份、APP 3~10份、分散劑1~5份、潤滑劑1~3份和增韌劑1~3份,所述精蠟為115#精蠟或80#精蠟,所述分散劑為油酸、SP-80、硬脂酸、山梨醇酐單硬脂酸酯和有機硅油中的至少一種,所述潤滑劑為芥酸酰胺、氧化聚乙烯蠟和EBS蠟中的至少一種,所述增韌劑為EEA,利用所述原料制備喂料;
將制備得到的所述喂料注射成型,得到第一陶瓷天線樣品;
將所述第一陶瓷天線樣品進行脫脂和燒結,得到第二陶瓷天線樣品;
在所述第二陶瓷天線樣品上鍍線路,得到陶瓷介質天線:
對所述第二陶瓷天線樣品進行超聲水清洗和烘干,將烘干后的所述第二陶瓷天線樣品放入PVD真空腔室內,所述真空腔室內抽真空至預設真空度,并加熱至100~350℃,充入氬氣調整真空度為0.2~3 Pa,在偏壓為1000~4500 V,電流為0.2~1 A,預設轉速下進行離子清洗5~15 min;
對所述第二陶瓷天線樣品在真空度0.5~2 Pa,偏壓為100~1000 V,電流為8~20 A,預設轉速下進行鍍膜10~60 min,鍍膜后的膜層厚度為0.5~4μm;
對電鍍后的所述第二陶瓷天線樣品的表面金屬層進行激光3D雕刻,雕刻得到預設寬度的線寬,得到所述陶瓷介質天線。
2.根據權利要求1所述的用于5G通信的陶瓷介質天線的制備方法,其特征在于,所述將制備得到的所述喂料注射成型包括:
將微波介質瓷粉在密煉機內預熱至120~180℃,依次將精蠟、PMMA、APP加入密煉機中,混合均勻后加入分散劑、潤滑劑和增韌劑,混煉0.5~3h后得到混合料;
將所述混合料進行造粒,得到所述陶瓷介質天線的喂料。
3.根據權利要求1所述的用于5G通信的陶瓷介質天線的制備方法,其特征在于,所述將制備得到的所述喂料注射成型,得到第一陶瓷天線樣品包括:
將所述喂料加入注塑機料斗內加熱,料筒噴嘴溫度為130~220℃,模具溫度為70~150℃,螺桿施加壓力為60~130Mpa,保壓0~4s,冷卻0~3s,固化后將所述喂料脫膜,得到所述第一陶瓷天線樣品。
4.根據權利要求1所述的用于5G通信的陶瓷介質天線的制備方法,其特征在于,所述將所述第一陶瓷天線樣品進行脫脂和燒結,得到第二陶瓷天線樣品包括:
將所述第一陶瓷天線樣品放入低溫脫脂爐內脫脂,然后放入高溫燒結爐內燒結,得到所述第二陶瓷天線樣品。
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