[發(fā)明專利]一種閃存芯片分析方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)

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• 申請日: 2020-12-11
• 公開（公告）號: CN112599181A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 倪黃忠;范厚奎
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市時創(chuàng)意電子有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G11C29/50
• 代理公司: 深圳盛德大業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44333
• 代理人: 賈振勇

本發(fā)明適用于計算機技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種閃存芯片分析方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)，所述方法包括以下步驟：通過BCH碼對閃存芯片進行數(shù)據(jù)保持能力測試；對不同狀態(tài)下的所述存儲芯片進行烘烤，同時通過所述BCH碼對所述閃存芯片內(nèi)不同擦除次數(shù)的物理存儲塊的數(shù)據(jù)保持能力進行測試；記錄并分析所述閃存芯片在多個時間點的測試結(jié)果，以得到所述閃存芯片的特性。本發(fā)明提供的方法，解決了現(xiàn)有閃存芯在不同測試場景及平臺上使用不穩(wěn)定、使用壽命低的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于計算機技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種閃存芯片分析方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)

對于閃存芯片內(nèi)的數(shù)據(jù)糾錯方面，目前主流的兩種糾錯碼是BCH碼和LDPC碼。LDPC碼(Low Density Parity Check Code,LDPC)即低密度奇偶校驗碼，是一種具有稀疏校驗矩陣的線性分組碼，譯碼復(fù)雜度低，結(jié)構(gòu)靈活。BCH碼(Bose、Ray-Chaudhuri、Hocquenghem的縮寫)是一種可糾多個隨機錯誤的循環(huán)碼，有嚴(yán)格的代數(shù)結(jié)構(gòu)，糾錯能力強，特別是在短和中等碼長下的糾錯性能接近理論值，是線性分組碼中的一種。

市場上不同廠商生產(chǎn)的Flash晶圓制程、品質(zhì)各異，而且同一廠商生產(chǎn)的不同閃存芯片應(yīng)用到以BCH碼作為糾錯引擎的存儲產(chǎn)品上表現(xiàn)也有差異，更何況同一顆型號的閃存芯片不同批次品質(zhì)也有所不同；導(dǎo)致這類閃存芯片在不同測試場景及平臺上使用的不穩(wěn)定，且因為閃存芯片自身獨有的特性，容易造成的產(chǎn)品的不良。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例的目的在于提供一種閃存芯片分析方法，旨在解決現(xiàn)有的閃存芯在不同測試場景及平臺上使用不穩(wěn)定、使用壽命低的問題。

本發(fā)明實施例是這樣實現(xiàn)的，一種閃存芯片分析方法，所述方法包括以下步驟：

通過BCH碼對閃存芯片進行數(shù)據(jù)保持能力測試；

對不同狀態(tài)下的所述存儲芯片進行烘烤，同時通過所述BCH碼對所述閃存芯片內(nèi)不同擦除次數(shù)的物理存儲塊的數(shù)據(jù)保持能力進行測試；

記錄并分析所述閃存芯片在多個時間點的測試結(jié)果，以得到所述閃存芯片的特性。

更進一步地，所述對閃存芯片內(nèi)不同擦除次數(shù)的物理存儲塊的數(shù)據(jù)保持能力進行測試的步驟之前，所述方法還包括以下步驟：

將固件程序燒錄進所述閃存芯片內(nèi)；

往所述閃存芯片內(nèi)寫入測試項數(shù)據(jù)。

更進一步地，所述對不同狀態(tài)下的所述存儲芯片進行烘烤的方法包括以下步驟：

在120℃的條件下，對所述存儲芯片進行烘烤。

更進一步地，所述將固件程序燒錄進所述閃存芯片內(nèi)的步驟之后，所述方法還包括以下步驟：

對第一狀態(tài)下的所述存儲芯片進行測試，所述第一狀態(tài)為所述閃存芯片內(nèi)多個所述物理存儲塊的存儲頁為未填滿狀態(tài)。

更進一步地，所述將固件程序燒錄進所述閃存芯片內(nèi)的步驟之后，所述方法還包括以下步驟：

對第二狀態(tài)下的所述存儲芯片進行測試，所述第二狀態(tài)為所述閃存芯片處于SLC模式。

更進一步地，所述將固件程序燒錄進所述閃存芯片內(nèi)的步驟之后，所述方法還包括以下步驟：

對第三狀態(tài)下的所述存儲芯片進行測試，所述第三狀態(tài)為所述閃存芯片處于MLC或者TLC模式。

本發(fā)明另一實施例還提供一種閃存芯片分析裝置，所述裝置包括：

BCH碼，用于對閃存芯片進行數(shù)據(jù)保持能力測試，并對所述閃存芯片內(nèi)不同擦除次數(shù)的物理存儲塊的數(shù)據(jù)保持能力進行測試；

恒溫恒濕箱，用于對不同狀態(tài)下的所述存儲芯片進行烘烤；