[發明專利]一種閃存芯片分析方法、裝置、電子設備及存儲介質

在審

• 申請號: 202011446240.6
• 申請日: 2020-12-11
• 公開（公告）號: CN112599181A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 倪黃忠;范厚奎
• 申請（專利權）人: 深圳市時創意電子有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G11C29/50
• 代理公司: 深圳盛德大業知識產權代理事務所(普通合伙) 44333
• 代理人: 賈振勇

1.一種閃存芯片分析方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

通過BCH碼對閃存芯片進行數據保持能力測試；

對不同狀態下的所述存儲芯片進行烘烤，同時通過所述BCH碼對所述閃存芯片內不同擦除次數的物理存儲塊的數據保持能力進行測試；

記錄并分析所述閃存芯片在多個時間點的測試結果，以得到所述閃存芯片的特性。

2.如權利要求1所述的閃存芯片分析方法，其特征在于，所述對閃存芯片內不同擦除次數的物理存儲塊的數據保持能力進行測試的步驟之前，所述方法還包括以下步驟：

將固件程序燒錄進所述閃存芯片內；

往所述閃存芯片內寫入測試項數據。

3.如權利要求1所述的閃存芯片分析方法，其特征在于，所述對不同狀態下的所述存儲芯片進行烘烤的方法包括以下步驟：

在120℃的條件下，對所述存儲芯片進行烘烤。

4.如權利要求2所述的閃存芯片分析方法，其特征在于，所述將固件程序燒錄進所述閃存芯片內的步驟之后，所述方法還包括以下步驟：

對第一狀態下的所述存儲芯片進行測試，所述第一狀態為所述閃存芯片內多個所述物理存儲塊的存儲頁為未填滿狀態。

5.如權利要求2所述的閃存芯片分析方法，其特征在于，所述將固件程序燒錄進所述閃存芯片內的步驟之后，所述方法還包括以下步驟：

對第二狀態下的所述存儲芯片進行測試，所述第二狀態為所述閃存芯片處于SLC模式。

6.如權利要求2所述的閃存芯片分析方法，其特征在于，所述將固件程序燒錄進所述閃存芯片內的步驟之后，所述方法還包括以下步驟：

對第三狀態下的所述存儲芯片進行測試，所述第三狀態為所述閃存芯片處于MLC或者TLC模式。

7.一種閃存芯片分析裝置，其特征在于，所述裝置包括：

BCH碼，用于對閃存芯片進行數據保持能力測試，并對所述閃存芯片內不同擦除次數的物理存儲塊的數據保持能力進行測試；

恒溫恒濕箱，用于對不同狀態下的所述存儲芯片進行烘烤；

記錄分析模塊，記錄并分析所述閃存芯片在多個時間點的測試結果，以得到所述閃存芯片的特性。

8.如權利要求7所述的閃存芯片分析裝置，其特征在于，所述裝置還包括：

燒錄模塊，用于將固件程序燒錄進所述閃存芯片內；

數據寫入模塊，用于往所述閃存芯片內寫入測試項數據。

9.一種電子設備，其特征在于，包括：存儲器、處理器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序時實現如權利要求1至6中任一項所述的閃存芯片分析方法中的步驟。

10.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現如權利要求1至6中任一項所述的閃存芯片分析方法中的步驟。