[發明專利]薄膜晶體管、像素電路及顯示面板

在審

• 申請號: 202011445784.0
• 申請日: 2020-12-09
• 公開（公告）號: CN112582465A
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 閆宇
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L29/786;G09G3/3208
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 杜蕾

本申請公開了一種薄膜晶體管、像素電路及顯示面板，薄膜晶體管包括第一有源層、第一柵極絕緣層、第二柵極絕緣層、柵極層、金屬層以及第二有源層；通過在薄膜晶體管中設置含有氧化物的第一有源層和第二有源層，既保持了其漏電流較小的良好性能，同時提高了其電子遷移率；進而降低了像素電路的漏電流及功耗。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及薄膜晶體管技術領域，具體涉及一種薄膜晶體管、像素電路及顯示面板。

背景技術

對于OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發光半導體)器件而言，LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低溫多晶硅)驅動是必不可少的。OLED作為電流器件，必須由高遷移率的TFT器件才能更好的驅動。也正是因為它的電流驅動特性，使得每一個OLED的像素需要進行內部補償，才能避免因為LTPS器件的均勻性問題導致的發光不一致性。所以每一個OLED的像素內部，必須要有6-7個TFT器件做補償電路設計。作為自發光器件D1，OLED的全白模式必須讓所有的像素全部開啟，這也就增加了邏輯功耗和因亮度而引起的功耗。而LTPS的漏電問題，也使得正常工作的LTPS器件要不斷充電，才能維持住電容中的電位，避免面板的畫質不良。這就意味著LTPS無法實現低頻驅動，這對面板功耗的節省也是大大不利的，特別是對于OLED所倡導的Always on Display(息屏顯示)的友好交互模式。

隨著顯示面板刷新率要求的不斷提高和其分辨率的不斷提高，這也就意味著OLED面板中每一行的充電時間在不斷縮短，而每一行的像素個數卻又在不斷提高。所以，OLED面板的驅動能力必須要達到在一個更短的時間內，為每一行中更多的像素進行充電的水平。這就必須進一步提高LTPS的充電能力，才能滿足在有限的時間內為每一行中的每個像素進行充電，這些都是需要增加額外且很大的功耗。

考慮到以上問題點，氧化物半導體TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)有助于解決這些問題。

發明內容

本申請提供一種薄膜晶體管、像素電路及顯示面板，解決了氧化物薄膜晶體管的電子遷移率低的的問題。

第一方面，本申請提供一種薄膜晶體管，其包括第一有源層、第一柵極絕緣層、第二柵極絕緣層、柵極層、金屬層以及第二有源層；第一柵極絕緣層形成于第一有源層的一側；第二柵極絕緣層形成于第一柵極絕緣層的一側，且遠離第一有源層；柵極層位于第一柵極絕緣層與第二柵極絕緣層之間；金屬層形成于第二柵極絕緣層的一側，且遠離第一柵極絕緣層；第二有源層位于第二柵極絕緣層與金屬層之間，且與第一有源層部分連接；其中，第一有源層、第二有源層的材料相同且均含有氧化物。

基于第一方面，在第一方面的第一種實施方式中，第一有源層與第二有源層內包形成梯形結構，柵極層位于梯形結構的中心。

基于第一方面，在第一方面的第二種實施方式中，第一有源層與柵極層相平行，且均為平面狀結構。

基于第一方面的第二種實施方式，在第一方面的第三種實施方式中，金屬層包括源極和漏極；源極與第二有源層的一側連接，漏極與第二有源層的另一側連接。

基于第一方面，在第一方面的第四種實施方式中，第二有源層為類梯形結構，類梯形結構的下底邊未形成封口且向外側延伸形成有第一下底子邊和第二下底子邊。

基于第一方面的第四種實施方式，在第一方面的第五種實施方式中，第二有源層的結構與漏極的結構和源極的結構相同，且漏極、源極均為倒置的類梯形結構。

基于第一方面的第五種實施方式，在第一方面的第六種實施方式中，漏極的上底邊與第二有源層的第一下底子邊連接；漏極的第二下底子邊與第二有源層的上底邊中的一部分連接；漏極的一腰與第二有源層的一腰連接。