[發明專利]薄膜晶體管、像素電路及顯示面板

在審

• 申請號: 202011445784.0
• 申請日: 2020-12-09
• 公開（公告）號: CN112582465A
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 閆宇
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L29/786;G09G3/3208
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 杜蕾

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

第一有源層；

第一柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層形成于所述第一有源層的一側；

第二柵極絕緣層，所述第二柵極絕緣層形成于所述第一柵極絕緣層的一側，且遠離所述第一有源層；

柵極層，所述柵極層位于所述第一柵極絕緣層與所述第二柵極絕緣層之間；

金屬層，所述金屬層形成于所述第二柵極絕緣層的一側，且遠離所述第一柵極絕緣層；以及

第二有源層，所述第二有源層位于所述第二柵極絕緣層與所述金屬層之間，且與所述第一有源層部分連接；

其中，所述第一有源層、所述第二有源層的材料相同且均含有氧化物。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一有源層與所述第二有源層內包形成梯形結構，所述柵極層位于所述梯形結構的中心。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一有源層與所述柵極層相平行，且均為平面狀結構。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬層包括源極和漏極；所述源極與所述第二有源層的一側連接，所述漏極與所述第二有源層的另一側連接。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二有源層為類梯形結構，所述類梯形結構的下底邊未形成封口且向外側延伸形成有第一下底子邊和第二下底子邊。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二有源層的結構與所述漏極的結構和所述源極的結構相同，且所述漏極、所述源極均為倒置的類梯形結構。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述漏極的上底邊與所述第二有源層的第一下底子邊連接；所述漏極的第二下底子邊與所述第二有源層的上底邊中的一部分連接；所述漏極的一腰與所述第二有源層的一腰連接。

8.一種像素電路，其特征在于，包括:

驅動晶體管；

存儲電容，串接于第一電源線與所述驅動晶體管的柵極之間；以及

初始化晶體管，與所述驅動晶體管的柵極連接，用于根據第一控制信號復位所述驅動晶體管的柵極電位至初始信號線所具有的電位；

其中，所述初始化晶體管為如權利要求1至7中任一項所述的薄膜晶體管。

9.根據權利要求8所述的像素電路，其特征在于，所述像素電路還包括補償晶體管；

所述補償晶體管與所述驅動晶體管的柵極連接，用于根據第二控制信號補償所述驅動晶體管的柵極電位；

其中，所述補償晶體管為如權利要求1至7中任一項所述的薄膜晶體管。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1至7中任一項所述的薄膜晶體管，或者如權利要求8至9中任一項所述的像素電路。