[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 202011445350.0
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN112490293B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 程亞杰
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底中形成有溝槽填充結構圍成的有源區；

LOCOS和位于所述LOCOS一側的至少一個溝槽，形成于所述有源區的襯底中，所述LOCOS的頂面高于所述襯底的頂面，所述溝槽的底壁高于所述溝槽填充結構的底面，所有的所述溝槽在垂直于所述LOCOS的所述一側的邊緣方向上的長度大于在平行于所述LOCOS的所述一側的邊緣方向上的長度；

柵介質層，形成于所述溝槽的內壁以及所述溝槽外圍的襯底上；以及，

柵極層，形成于所述柵介質層上以及靠近所述溝槽的部分所述LOCOS上，所述溝槽的背向所述LOCOS的一端超出所述柵極層的背向所述LOCOS的一端。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述溝槽的靠近所述LOCOS的一側暴露出所述LOCOS。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括至少兩個溝槽，所有的所述溝槽沿著平行于所述LOCOS的所述一側的邊緣方向依次排列。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述LOCOS的兩端與所述溝槽填充結構的側壁頂部接觸；所述柵極層的兩端從所述柵介質層上以及靠近所述溝槽的部分所述LOCOS上延伸至所述溝槽填充結構上。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括形成于所述有源區的襯底中的體區和漂移區，所述體區與所述漂移區的交界處位于所述柵極層的下方，所述漂移區包圍所述LOCOS，所述溝槽從所述漂移區延伸至所述體區。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括源極區和漏極區，所述源極區位于所述柵極層的遠離所述LOCOS的體區中，所述漏極區位于所述LOCOS的背向所述源極區一側的漂移區中。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述溝槽的背向所述LOCOS的一端延伸至所述源極區上。

8.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底中形成有溝槽填充結構圍成的有源區；

形成LOCOS于所述有源區的襯底中，所述LOCOS的頂面高于所述襯底的頂面；

形成至少一個溝槽于所述LOCOS一側的襯底中，所述溝槽的底壁高于所述溝槽填充結構的底面，所有的所述溝槽在垂直于所述LOCOS的所述一側的邊緣方向上的長度大于在平行于所述LOCOS的所述一側的邊緣方向上的長度；

形成柵介質層于所述溝槽的內壁以及所述溝槽外圍的襯底上；以及，

形成柵極層于所述柵介質層上以及靠近所述溝槽的部分所述LOCOS上，所述溝槽的背向所述LOCOS的一端超出所述柵極層的背向所述LOCOS的一端。

9.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述溝槽的靠近所述LOCOS的一側暴露出所述LOCOS。