[發(fā)明專利]顯示面板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011443916.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112599571B | 公開(公告)日: | 2022-11-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 白思航;戴超 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L29/43;H01L29/417;H01L27/12;G09G3/3208 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 杜蕾 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括:
基板;
第一多晶硅晶體管,所述第一多晶硅晶體管包括第一多晶硅有源層,所述第一多晶硅有源層包括第一多晶硅溝道、第一源極以及第一漏極,所述第一源極和所述第一漏極位于所述第一多晶硅溝道的相對(duì)兩側(cè);
第一金屬氧化物晶體管,所述第一金屬氧化物晶體管包括第一金屬氧化物有源層,所述第一金屬氧化物有源層包括第一金屬氧化物溝道、第二源極以及第二漏極,所述第二源極和所述第二漏極位于所述第一金屬氧化物溝道的相對(duì)兩側(cè),所述第一金屬氧化物有源層位于所述第一多晶硅有源層的上方;以及
絕緣層,設(shè)置于所述第一金屬氧化物有源層和所述第一多晶硅有源層之間;
其中,所述第二源極和所述第二漏極中的一者通過貫穿所述絕緣層的第一過孔與所述第一源極和所述第一漏極中的一者電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述絕緣層包括第一絕緣層、第二絕緣層以及第三絕緣層,所述第二絕緣層設(shè)置于所述第一絕緣層和所述第三絕緣層之間,所述第一絕緣層靠近所述第一多晶硅有源層設(shè)置,所述第三絕緣層靠近所述第一金屬氧化物有源層設(shè)置;
所述顯示面板還包括:
第二多晶硅晶體管,所述第二多晶硅晶體管包括第二多晶硅有源層以及第一柵極,所述第一柵極位于所述第二多晶硅有源層的上方且對(duì)應(yīng)所述第二多晶硅有源層設(shè)置,所述第一柵極和所述第二多晶硅有源層之間設(shè)置有所述第一絕緣層,所述第二多晶硅有源層與所述第一多晶硅有源層同層設(shè)置;以及
電極板,位于所述第一柵極的上方且對(duì)應(yīng)所述第一柵極設(shè)置,所述電極板和所述第一柵極之間設(shè)置有所述第二絕緣層,所述第一金屬氧化物有源層和所述電極板之間設(shè)置有所述第三絕緣層;
其中,所述第二源極和所述第二漏極中的另一者通過貫穿所述第二絕緣層和所述第三絕緣層的第二孔與所述第一柵極電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括:
第二金屬氧化物晶體管,所述第二金屬氧化物晶體管包括第二金屬氧化物有源層,所述第二金屬氧化物有源層包括第二金屬氧化物溝道、第三源極以及第三漏極,所述第三源極以及所述第三漏極位于所述第二金屬氧化物溝道的相對(duì)兩側(cè),所述第二金屬氧化物有源層與所述第一金屬氧化物有源層同層設(shè)置;
其中,所述第三源極和所述第三漏極中的一者通過貫穿所述第二絕緣層和所述第三絕緣層的第三過孔與所述第一柵極電性連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括:
初始化信號(hào)線,所述初始化信號(hào)線與所述電極板同層設(shè)置;
其中,所述第三源極和所述第三漏極中的另一者通過貫穿所述第三絕緣層的第四過孔與所述初始化信號(hào)線電性連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括:
第四絕緣層,所述第四絕緣層對(duì)應(yīng)所述第一金屬氧化物溝道和所述第二金屬氧化物溝道設(shè)置;
第二柵極,所述第二柵極與所述電極板同層設(shè)置且所述第二柵極設(shè)置于所述第二絕緣層上,且所述第二柵極對(duì)應(yīng)所述第一金屬氧化物溝道設(shè)置;
第三柵極,所述第三柵極設(shè)置于所述第四絕緣層上,且所述第三柵極對(duì)應(yīng)所述第一金屬氧化物溝道設(shè)置;
第四柵極,所述第四柵極與所述電極板同層設(shè)置且所述第四柵極設(shè)置于所述第二絕緣層上,所述第四柵極對(duì)應(yīng)所述第二金屬氧化物溝道設(shè)置;以及
第五柵極,所述第五柵極設(shè)置于所述第四絕緣層上,且所述第五柵極對(duì)應(yīng)所述第二金屬氧化物溝道設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括:
第五絕緣層,所述第五絕緣層覆蓋第一金屬氧化物有源層和所述第三絕緣層;以及
陽極引線,所述陽極引線設(shè)置于所述第五絕緣層上且通過貫穿所述第五絕緣層、所述第三絕緣層、所述第二絕緣層以及所述第一絕緣層的第五過孔與所述第一源極和所述第一漏極中的另一者電性連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





