[發明專利]顯示面板

有效

• 申請號: 202011443916.6
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN112599571B
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 白思航;戴超
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L29/43;H01L29/417;H01L27/12;G09G3/3208
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 杜蕾

本申請提供一種顯示面板，顯示面板包括：基板；第一多晶硅晶體管，第一多晶硅晶體管包括第一多晶硅有源層，第一多晶硅有源層包括第一多晶硅溝道、第一源極以及第一漏極，第一源極和第一漏極位于第一多晶硅溝道的相對兩側；第一金屬氧化物晶體管，第一金屬氧化物晶體管包括第一金屬氧化物有源層，第一金屬氧化物有源層包括第一金屬氧化物溝道、第二源極以及第二漏極，第二源極和第二漏極位于第一金屬氧化物溝道的相對兩側，第一金屬氧化物有源層位于第一多晶硅有源層的上方；以及絕緣層，設置于第一金屬氧化物有源層和第一多晶硅有源層之間；其中，第二源極和第二漏極中的一者通過貫穿絕緣層的第一過孔與第一源極和第一漏極中的一者電性連接。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種顯示面板。

背景技術

如圖1所示，其為傳統低溫多晶硅氧化物(Low-Temperature PolycrystallineOxide)顯示面板的截面示意圖。顯示面板200包括低溫多晶硅晶體管M1以及金屬氧化物晶體管M2。低溫多晶硅晶體管M1包括低溫多晶硅有源層，低溫多晶硅有源層包括低溫多晶硅溝道M1a、第一源極M1b以及第一漏極M1c，第一源極M1b以及第一漏極M1c位于低溫多晶硅溝道M1a的相對兩側。金屬氧化物晶體管M2包括金屬氧化物有源層，金屬氧化物有源層包括金屬氧化物溝道M2a、第二源極M2b以及第二漏極M2c，第二源極M2b以及第二漏極M2c位于金屬氧化物溝道M2a的相對兩側。橋接引線1的一端通過第一過孔200a與低溫多晶硅有源層電性連接，橋接引線1的另一端通過第二過孔200b與金屬氧化物有源層電性連接。其中，在形成橋接引線1之前，需要同時形成第一過孔200a以及第二過孔200b，在制程中為改善低溫多晶硅有源層與橋接引線1之間的搭接阻抗，需要用氫氟酸清洗去除多晶硅晶體有源層上的原生氧化層結構，然而，金屬氧化物有源層耐氫氟酸清洗的能力較弱，這個過程會影響器件的特性。

因此，需要提出一種技術方案以解決采用橋接引線橋接金屬氧化物有源層和低溫多晶硅有源層且清洗低溫多晶硅有源層導致金屬氧化物有源層的性能受影響的問題。

發明內容

本申請的目的在于提供一種顯示面板，避免影響顯示面板的金屬氧化物有源層的性能。

一種顯示面板，所述顯示面板包括：

基板；

第一多晶硅晶體管，所述第一多晶硅晶體管包括第一多晶硅有源層，所述第一多晶硅有源層包括第一多晶硅溝道、第一源極以及第一漏極，所述第一源極和所述第一漏極位于所述第一多晶硅溝道的相對兩側；

第一金屬氧化物晶體管，所述第一金屬氧化物晶體管包括第一金屬氧化物有源層，所述第一金屬氧化物有源層包括第一金屬氧化物溝道、第二源極以及第二漏極，所述第二源極和所述第二漏極位于所述第一金屬氧化物溝道的相對兩側，所述第一金屬氧化物有源層位于所述第一多晶硅有源層的上方；以及

絕緣層，設置于所述第一金屬氧化物有源層和所述第一多晶硅有源層之間；

其中，所述第二源極和所述第二漏極中的一者通過貫穿所述絕緣層的第一過孔與所述第一源極和所述第一漏極中的一者電性連接。

有益效果：本申請提供一種顯示面板，第一金屬氧化物有源層的第二源極和第二漏極中的一者通過貫穿絕緣層的第一過孔與第一多晶硅晶體管的第一源極和第一漏極中的一者電性連接，使得在形成金屬氧化物有源層之前可以對多晶硅有源層進行清洗而不會影響金屬氧化物有源層的性能，避免采用橋接引線橋接第一金屬氧化物有源層和第一多晶硅有源層時需要同時形成用于橋接的過孔導致清洗多晶硅有源層時對金屬氧化物有源層造成損壞。此外，第一金屬氧化物有源層的第二源極和第二漏極均是透明的，可以減少搭接用金屬走線，有利于提高開口率，從而提高顯示面板的分辨率。

附圖說明

圖1為傳統低溫多晶硅氧化物顯示面板的截面示意圖；

圖2為本申請實施例顯示面板的像素驅動電路的示意圖；