[發明專利]半導體裝置制造系統及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202011443536.2
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN113391522A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 濱崎正和
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

實施方式提供一種能夠適當地調整曝光條件的校正參數的半導體裝置制造系統及半導體裝置的制造方法。實施方式的半導體裝置制造系統具有存儲部、特定部、判斷部及調整部。存儲部存儲裝置信息。裝置信息是表示用于制造半導體器件的曝光裝置的成像性與機械動作精度的關系的信息。特定部根據裝置信息與所要求的成像性，特定出機械動作精度的限制。判斷部判斷曝光條件的校正參數是否滿足限制。調整部根據判斷部的判斷結果，調整校正參數。

[相關申請]

本申請享有以日本專利申請2020-044628號(申請日：2020年3月13日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。

技術領域

本實施方式涉及一種半導體裝置制造系統及半導體裝置的制造方法。

背景技術

用于制造半導體器件的曝光裝置根據曝光條件及其校正參數將襯底曝光，由此，將半導體器件的圖案轉印到襯底。此時，希望適當調整校正參數。

發明內容

本發明要解決的問題在于提供一種能夠適當調整曝光條件的校正參數的半導體裝置制造系統及半導體裝置的制造方法。

實施方式的半導體裝置制造系統具有存儲部、特定部、判斷部及調整部。存儲部存儲裝置信息。裝置信息是表示用于制造半導體器件的曝光裝置的成像性與機械動作精度的關系的信息。特定部根據裝置信息與所要求的成像性，特定出機械動作精度的限制。判斷部判斷曝光條件的校正參數是否滿足限制。調整部根據判斷部的判斷結果，調整校正參數。

附圖說明

圖1是表示實施方式的半導體裝置制造系統的構成的圖。

圖2是表示實施方式的主機控制器的功能構成的圖。

圖3是表示實施方式的曝光裝置的構成的圖。

圖4是表示實施方式的半導體裝置制造系統的動作的流程圖。

圖5是表示實施方式中的裝置信息制作處理的流程圖。

圖6a及圖6b是表示實施方式中的曝光照射區域與對準偏移校正量的關系的圖。

圖7a～圖7d是表示實施方式中的曝光量裕度及聚焦深度的評價的圖。

圖8是表示實施方式中的成像性的評價的圖。

圖9a～圖9c是表示實施方式中的曝光裝置的同步精度的偏差的評價結果的圖。

圖10a～圖10c是表示實施方式中的曝光裝置的同步精度的偏差的評價結果的圖。

圖11是表示實施方式中的裝置信息的構成的圖。

圖12是表示實施方式中的校正參數調整處理的流程圖。

圖13a～圖13d是表示實施方式中的測量裝置的測量對象的圖。

圖14a及圖14b是表示實施方式中的校正參數調整處理的圖。

圖15是表示實施方式的變化例中的裝置信息制作處理的流程圖。

圖16是表示實施方式的變化例中的裝置信息的構成的圖。

圖17是表示實施方式的變化例中的校正參數調整處理的流程圖。

圖18是表示實施方式的變化例中的校正參數調整處理的圖。

圖19是表示實施方式及其變化例中的主機控制器的硬件構成的圖。

具體實施方式

以下，參照附圖，對實施方式的半導體裝置制造系統詳細地進行說明。此外，本發明不受本實施方式限定。

(實施方式)