[發明專利]半導體裝置制造系統及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202011443536.2
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN113391522A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 濱崎正和
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導體裝置制造系統，具備：

存儲部，存儲表示用于制造半導體器件的曝光裝置的成像性與機械動作精度的關系的裝置信息；

特定部，根據所述裝置信息與所要求的成像性，特定出機械動作精度的限制；

判斷部，判斷曝光條件的校正參數是否滿足所述限制；及

調整部，根據所述判斷部的判斷結果，調整所述校正參數。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置制造系統，其中

所述曝光裝置是掃描曝光裝置，

所述動作精度包含原版平臺的掃描與襯底平臺的掃描的同步精度，且

所述限制包含所述裝置信息中的與所述要求的成像性對應的同步精度的上限。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置制造系統，其中

所述校正參數包含對準偏移校正的校正量曲線，且

當所述校正量曲線不滿足所述限制時，所述調整部變更所述校正量曲線。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置制造系統，其中

所述校正參數包含包括多個曝光照射區域的襯底中的各曝光照射區域內的對準偏移校正的校正量曲線。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置制造系統，其中

所述校正參數包含校正量曲線，所述校正量曲線用來對包括分別具有多個芯片區域的多個曝光照射區域的襯底中的各曝光照射區域內的每一個芯片區域進行對準偏移校正。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置制造系統，其中

當調整后的校正參數滿足動作精度的限制時，所述半導體裝置制造系統將調整后的校正參數供給至所述曝光裝置。

7.根據權利要求2所述的半導體裝置制造系統，其中

當與調整后的校正參數對應的同步精度在同步精度的上限以下時，所述半導體裝置制造系統將調整后的校正參數供給至所述曝光裝置。

8.一種半導體裝置制造系統，具備：

存儲部，存儲表示用于制造半導體器件的曝光裝置的成像性與襯底的高度位置偏移量的關系的裝置信息；

特定部，根據所述存儲的裝置信息與所要求的成像性，特定出襯底的高度位置偏移量的限制；

判斷部，判斷曝光條件的校正參數是否滿足所述限制；及

調整部，根據所述判斷部的判斷結果，調整所述校正參數。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置制造系統，其中

所述限制包含所述裝置信息中的與所述要求的成像性對應的高度位置偏移量的上限。

10.根據權利要求8所述的半導體裝置制造系統，其中

所述校正參數包含聚焦校正的校正量，且

當所述校正量不滿足所述限制時，所述調整部變更所述校正量。

11.根據權利要求8所述的半導體裝置制造系統，其中

所述校正參數包含包括多個曝光照射區域的襯底中的各曝光照射區域內的聚焦校正的校正量。

12.根據權利要求8所述的半導體裝置制造系統，其中

所述校正參數包含校正量，所述校正量用來對包括分別具有多個芯片區域的多個曝光照射區域的襯底中的各曝光照射區域內的每一個芯片區域進行聚焦校正。

13.根據權利要求8所述的半導體裝置制造系統，其中

當調整后的校正參數滿足動作精度的限制時，所述半導體裝置制造系統將調整后的校正參數供給至所述曝光裝置。

14.根據權利要求9所述的半導體裝置制造系統，其中

當與調整后的校正參數對應的高度位置偏移量在高度位置偏移量的上限以下時，所述半導體裝置制造系統將調整后的校正參數供給至所述曝光裝置。