[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011443418.1
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN112599601B
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 程亞杰
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/423
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底中形成有溝槽填充結(jié)構(gòu)圍成的有源區(qū)；

高溫氧化層和位于所述高溫氧化層一側(cè)的至少一個溝槽，所述高溫氧化層形成于所述有源區(qū)的襯底上，所述至少一個溝槽形成于所述有源區(qū)的襯底中，所述溝槽的底壁高于所述溝槽填充結(jié)構(gòu)的底面，所有的所述溝槽在垂直于所述高溫氧化層的所述一側(cè)的邊緣方向上的長度大于在平行于所述高溫氧化層的所述一側(cè)的邊緣方向上的長度；

柵介質(zhì)層，形成于所述溝槽的內(nèi)壁以及所述溝槽外圍的襯底上，所述溝槽外圍的襯底上的所述柵介質(zhì)層的厚度小于所述高溫氧化層的厚度；以及，

柵極層，形成于所述柵介質(zhì)層上以及靠近所述溝槽的部分所述高溫氧化層上，所述溝槽的背向所述高溫氧化層的一端超出所述柵極層的背向所述高溫氧化層的一端。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述溝槽緊靠所述高溫氧化層。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括至少兩個溝槽，所有的所述溝槽沿著平行于所述高溫氧化層的所述一側(cè)的邊緣方向依次排列。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述高溫氧化層的兩端與所述溝槽填充結(jié)構(gòu)的側(cè)壁頂部接觸；所述柵極層的兩端從所述柵介質(zhì)層上以及靠近所述溝槽的部分所述高溫氧化層上延伸至所述溝槽填充結(jié)構(gòu)上。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括形成于所述有源區(qū)的襯底中的體區(qū)和漂移區(qū)，所述體區(qū)與所述漂移區(qū)的交界處位于所述柵極層的下方，所述高溫氧化層位于所述漂移區(qū)的上方，所述溝槽從所述漂移區(qū)延伸至所述體區(qū)。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括源極區(qū)和漏極區(qū)，所述源極區(qū)位于所述柵極層的遠(yuǎn)離所述高溫氧化層的體區(qū)中，所述漏極區(qū)位于所述高溫氧化層的背向所述源極區(qū)一側(cè)的漂移區(qū)中。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述溝槽的背向所述高溫氧化層的一端延伸至所述源極區(qū)上。

8.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底中形成有溝槽填充結(jié)構(gòu)圍成的有源區(qū)；

形成至少一個溝槽于所述有源區(qū)的襯底中以及形成高溫氧化層于所述有源區(qū)的襯底上，所述溝槽的底壁高于所述溝槽填充結(jié)構(gòu)的底面，所述至少一個溝槽位于所述高溫氧化層的一側(cè)，所有的所述溝槽在垂直于所述高溫氧化層的所述一側(cè)的邊緣方向上的長度大于在平行于所述高溫氧化層的所述一側(cè)的邊緣方向上的長度；

形成柵介質(zhì)層于所述溝槽的內(nèi)壁以及所述溝槽外圍的襯底上，所述溝槽外圍的襯底上的所述柵介質(zhì)層的厚度小于所述高溫氧化層的厚度；以及，

形成柵極層于所述柵介質(zhì)層上以及靠近所述溝槽的部分所述高溫氧化層上，所述溝槽的背向所述高溫氧化層的一端超出所述柵極層的背向所述高溫氧化層的一端。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述溝槽緊靠所述高溫氧化層。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，先形成至少一個溝槽于所述有源區(qū)的襯底中，再形成高溫氧化層于所述有源區(qū)的襯底上；或者，先形成高溫氧化層于所述有源區(qū)的襯底上，再形成至少一個溝槽于所述有源區(qū)的襯底中。