[發(fā)明專利]一種硫摻雜含氧空位的三氧化鉬材料以及電化學(xué)還原處理氯霉素的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011442754.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112723488B | 公開(公告)日: | 2022-04-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳潔潔;程瑞芬;俞漢青 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C02F1/461 | 分類號(hào): | C02F1/461;C02F101/30 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 夏菁 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 摻雜 空位 氧化鉬 材料 以及 電化學(xué) 還原 處理 氯霉素 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種電化學(xué)還原處理氯霉素的方法,包括以下步驟:S1)制備硫摻雜含氧空位的三氧化鉬材料:以鉬粉為原料,過(guò)氧化氫為氧化劑,在乙醇溶劑中高壓反應(yīng)合成片層狀含氧空位三氧化鉬材料;以硫粉為硫源,與上述片層狀含氧空位三氧化鉬材料混合,進(jìn)行高溫氣相沉積,得到S?MoO3?x;S2)將S?MoO3?x均勻負(fù)載于碳紙表面,得到硫摻雜含氧空位三氧化鉬電極:S3)以硫摻雜含氧空位三氧化鉬電極作為陰極,在含氯霉素電解液中進(jìn)行電化學(xué)脫氯反應(yīng)。本發(fā)明通過(guò)引入氧空位和硫元素,得到硫摻雜氧空位三氧化鉬材料,實(shí)現(xiàn)了短時(shí)間內(nèi)達(dá)到脫氯脫毒的效果,且其適用的pH范圍較寬。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電化學(xué)技術(shù)和環(huán)保廢水處理技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種硫摻雜含氧空位的三氧化鉬材料以及電化學(xué)還原處理氯霉素的方法。
背景技術(shù)
氯霉素(Chloramphenicol,CAP)是一種廣譜性抗生素,由于其成本低且抑菌抗感染效果好,自20世紀(jì)50年代起被廣泛應(yīng)用于畜牧水產(chǎn)養(yǎng)殖及食品生產(chǎn)。由于其使用量大且吸收率低,因此大量氯霉素未被生物體轉(zhuǎn)化而被直接排放到環(huán)境中。然而,氯霉素在環(huán)境中積累后,可能導(dǎo)致自然環(huán)境中抗藥微生物的顯著增加。有研究表明,通過(guò)食物鏈富集作用而攝入人體的氯霉素可能會(huì)引起貧血、神經(jīng)肌肉紊亂等疾病。因此,開發(fā)氯霉素的高效去除方法對(duì)人類健康和生態(tài)環(huán)境均極為重要。
目前,氯霉素的去除技術(shù)主要有吸附法、臭氧氧化法、輻射與光解、芬頓氧化法以及電化學(xué)法。傳統(tǒng)的吸附法難以做到對(duì)氯霉素的高效解毒,而高級(jí)氧化法、光催化等技術(shù)需要特殊的反應(yīng)裝置,對(duì)pH依賴性高,有污泥生成,并且有可能產(chǎn)生毒性更高的副產(chǎn)物。相比之下,電化學(xué)法具有效率高、成本低、操作簡(jiǎn)單等多種優(yōu)勢(shì)。電化學(xué)法包括電氧化法和電還原法,電氧化法處理有機(jī)物通常需要較高的氧化電位,過(guò)高的氧化電位不僅會(huì)增加能耗,嚴(yán)重腐蝕電極,還會(huì)加劇析氧、析氯等副反應(yīng)。電化學(xué)還原法具有反應(yīng)簡(jiǎn)單、無(wú)二次污染、即停即止等優(yōu)點(diǎn),是一種高效處理氯霉素的環(huán)境友好型技術(shù)。目前,電化學(xué)還原處理氯霉素的研究側(cè)重于電極材料的優(yōu)化,包括貴金屬鈀及其摻雜改性的復(fù)合材料,但其成本較高,處理能力也易受到電極材料的限制。因此開發(fā)成本低廉、制備工藝簡(jiǎn)單的電極材料用于高效還原去除氯霉素顯得十分重要。
三氧化鉬(MoO3)是一種來(lái)源廣泛且價(jià)格低廉的層狀半導(dǎo)體材料,具有較好的電催化還原性能,已被廣泛運(yùn)用到電化學(xué)析氫、超級(jí)電容器、鋰離子電池等領(lǐng)域,但在環(huán)境污染物的還原去除領(lǐng)域較少見(jiàn)。目前,三氧化鉬材料應(yīng)用于電化學(xué)領(lǐng)域主要存在導(dǎo)電能力不足和易發(fā)生析氫副反應(yīng)的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種硫摻雜含氧空位的三氧化鉬材料以及電化學(xué)還原處理氯霉素的方法,實(shí)現(xiàn)了氯霉素的高效電化學(xué)還原脫氯脫毒。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供了一種硫摻雜含氧空位的三氧化鉬材料,分子式為S-MoO3-x,其為硫摻雜的片層狀含氧空位三氧化鉬材料。
本發(fā)明提供了上述硫摻雜含氧空位的三氧化鉬材料的制備方法,包括以下步驟:
以鉬粉為原料,過(guò)氧化氫為氧化劑,在乙醇溶劑中高壓反應(yīng)合成片層狀含氧空位三氧化鉬材料;
以硫粉為硫源,與上述片層狀含氧空位三氧化鉬材料混合,進(jìn)行高溫氣相沉積,得到S-MoO3-x。
本發(fā)明優(yōu)選的,所述鉬粉、過(guò)氧化氫溶液的質(zhì)量體積比為(6~8mg):1mL。
所述過(guò)氧化氫溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)優(yōu)選為20%~30%,進(jìn)一步優(yōu)選為30%。
所述鉬粉和乙醇的質(zhì)量體積比例優(yōu)選為1mg:(1~2mL)。
在本發(fā)明的一些具體實(shí)施例中,所述鉬粉的用量為38.4mg,所述過(guò)氧化氫溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%,所述過(guò)氧化氫溶液的加入量為6mL,所述乙醇的用量為48mL。
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