[發(fā)明專利]一種背板組件、制程方法和顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011441737.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112599534A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅傳寶 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L27/15;H01L29/417;H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 背板 組件 方法 顯示裝置 | ||
1.一種背板組件,其特征在于,包括:
基板,具有相對(duì)設(shè)置的第一面和第二面;
第一金屬層,設(shè)置在所述第一面;
透明金屬氧化層,設(shè)置在所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述基板的一面,所述透明金屬氧化層和所述第一金屬層形成源漏極、遮光層以及焊盤;
緩沖層,設(shè)置在所述透明金屬氧化層遠(yuǎn)離所述基板的一面,且覆蓋所述第一面,所述緩沖層設(shè)有過(guò)孔,所述過(guò)孔位置與所述源漏極對(duì)應(yīng);
有源層,設(shè)置在所述緩沖層遠(yuǎn)離所述基板的一面,所述有源層包括溝道區(qū)以及溝道區(qū)兩側(cè)的非溝道區(qū),所述溝道區(qū)通過(guò)所述過(guò)孔與所述源漏極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背板組件,其特征在于,還包括絕緣層和第二金屬層,所述絕緣層設(shè)置在所述有源層遠(yuǎn)離所述基板的一面,所述第二金屬層設(shè)置在所述絕緣層遠(yuǎn)離所述基板的一面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背板組件,其特征在于,還包括第一鈍化層和第三金屬層,所述第一鈍化層設(shè)置在所述第二金屬層遠(yuǎn)離所述基板的一面,且覆蓋所述有源層和緩沖層,所述第一鈍化層具有接觸孔,所述第三金屬層設(shè)置在所述第一鈍化層遠(yuǎn)離所述基板的一面,所述第三金屬層通過(guò)接觸孔與所述有源層的非溝道區(qū)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的背板組件,其特征在于,還包括芯片,所述第三金屬層遠(yuǎn)離所述基板的一面設(shè)有凹陷,所述凹陷位于所述接觸孔內(nèi),所述芯片設(shè)置在所述第三金屬層遠(yuǎn)離所述基板的一面,且位于所述凹陷內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背板組件,其特征在于,還包括第二鈍化層和黑矩陣,所述第二鈍化層設(shè)置在所述第一鈍化層遠(yuǎn)離所述基板的一面,所述第二鈍化層部分覆蓋所述第三金屬層,所述黑矩陣設(shè)置在所述第二鈍化層遠(yuǎn)離所述基板的一面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背板組件,其特征在于,所述透明金屬氧化層為氧化銦鋅或者氧化銦錫。
7.一種背板組件的制程方法,其特征在于,包括:
提供一基板,所述基板具有相對(duì)設(shè)置的第一面和第二面;
在所述第一面設(shè)置第一金屬層;
在所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述基板的一面設(shè)置透明金屬氧化層;
將所述透明金屬氧化層和所述第一金屬層通過(guò)圖案化形成源漏極、遮光層以及焊盤;
在所述透明金屬氧化層遠(yuǎn)離所述基板的一面設(shè)置緩沖層,所述緩沖層覆蓋所述第一面,所述緩沖層設(shè)有過(guò)孔,所述過(guò)孔位置與所述源漏極對(duì)應(yīng);
在所述緩沖層遠(yuǎn)離所述基板的一面設(shè)置有源層,所述有源層包括溝道區(qū)以及溝道區(qū)兩側(cè)的非溝道區(qū),所述溝道區(qū)通過(guò)所述過(guò)孔與所述源漏極連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背板組件的制程方法,其特征在于,所述在透明金屬氧化層遠(yuǎn)離所述基板的一面設(shè)置緩沖層,包括:
在所述透明金屬氧化層遠(yuǎn)離所述基板的一面沉積緩沖過(guò)渡層;
將所述緩沖過(guò)渡層進(jìn)行圖案化處理;
對(duì)圖案化處理后的緩沖過(guò)渡層進(jìn)行退火處理以形成緩沖層,其中,退火的溫度為300-400℃,退火時(shí)間為2-3小時(shí)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背板組件的制程方法,其特征在于,所述在緩沖層遠(yuǎn)離所述基板的一面設(shè)置有源層之后,包括:
在所述有源層遠(yuǎn)離所述基板的一面設(shè)置第一鈍化層,所述第一鈍化層設(shè)置有接觸孔;
在所述第一鈍化層遠(yuǎn)離所述基板的一面設(shè)置第三金屬層,所述第三金屬層通過(guò)接觸孔與所述有源層連接;
在所述第三金屬層遠(yuǎn)離所述基板的一面設(shè)置芯片。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的背板組件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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