[發明專利]一種背板組件、制程方法和顯示裝置在審
| 申請號: | 202011441737.9 | 申請日: | 2020-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN112599534A | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發明(設計)人: | 羅傳寶 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/15;H01L29/417;H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 背板 組件 方法 顯示裝置 | ||
本申請提供一種背板組件、制程方法和顯示裝置,背板組件包括基板、第一金屬層、透明金屬氧化層、緩沖層以及有源層,基板具有相對設置的第一面和第二面,第一金屬層設置在所述第一面,透明金屬氧化層設置在所述第一金屬層遠離所述基板的一面,所述透明金屬氧化層和所述第一金屬層形成源漏極、遮光層以及焊盤,緩沖層設置在透明金屬氧化層遠離所述基板的一面,且覆蓋所述第一面,所述緩沖層設有過孔,所述過孔位置與所述源漏極對應,有源層設置在緩沖層遠離所述基板的一面,所述有源層包括溝道區以及溝道區兩側的非溝道區,所述溝道區通過所述過孔與所述源漏極連接。本申請實施例能夠節省至少一道掩膜工藝,降低生產成本。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,具體涉及一種背板組件、制程方法和顯示裝置。
背景技術
Min和MicroLED(統稱為:MLED)顯示技術在近兩年進入加速發展階段,可以使用在中小型高附加價值顯示器應用領域。相較OLED屏幕,MLED顯示可以在成本、對比度、高亮度和輕薄外形上表現出更佳性能。在MLED顯示技術中,背板技術作為關鍵技術。目前Micro-LED背板技術工藝比較復雜,大大增加背板成本,不利于micro-LED顯示技術的量產。
發明內容
本申請實施例提供一種背板組件、制程方法和顯示裝置,能夠減少背板的工序,降低背板的生產成本。
本申請提供一種背板組件,包括:
基板,具有相對設置的第一面和第二面;
第一金屬層,設置在所述第一面;
透明金屬氧化層,設置在所述第一金屬層遠離所述基板的一面,所述透明金屬氧化層和所述第一金屬層形成源漏極、遮光層以及焊盤;
緩沖層,設置在透明金屬氧化層遠離所述基板的一面,且覆蓋所述第一面,所述緩沖層設有過孔,所述過孔位置與所述源漏極對應;
有源層,設置在緩沖層遠離所述基板的一面,所述有源層包括溝道區以及溝道區兩側的非溝道區,所述溝道區通過所述過孔與所述源漏極連接。
在一些實施例中,還包括絕緣層和第二金屬層,所述絕緣層設置在所述有源層遠離所述基板的一面,所述第二金屬層設置在所述絕緣層遠離所述基板的一面。
在一些實施例中,還包括第一鈍化層和第三金屬層,所述第一鈍化層設置在所述第二金屬層遠離所述基板的一面,且覆蓋所述有源層和緩沖層,所述第一鈍化層具有接觸孔,所述第三金屬層設置在所述第一鈍化層遠離所述基板的一面,所述第三金屬層通過接觸孔與所述有源層的非溝道區連接。
在一些實施例中,還包括芯片,所述第三金屬層遠離所述基板的一面設有凹陷,所述凹陷位于所述接觸孔內,所述芯片設置在所述第三金屬層遠離所述基板的一面,且位于所述凹陷內。
在一些實施例中,還包括第二鈍化層和黑矩陣,所述第二鈍化層設置在所述第一鈍化層遠離所述基板的一面,所述第二鈍化層部分覆蓋所述第三金屬層,所述黑矩陣設置在所述第二鈍化層遠離所述基板的一面。
在一些實施例中,所述透明金屬氧化層為氧化銦鋅或者氧化銦錫。
本申請實施例還提供一種背板組件的制程方法,包括:
提供一基板,所述基板具有相對設置的第一面和第二面;
在所述第一面設置第一金屬層;
在所述第一金屬層遠離所述基板的一面設置透明金屬氧化層;
將所述透明金屬氧化層和所述第一金屬層通過圖案化形成源漏極、遮光層以及焊盤;
在所述透明金屬氧化層遠離所述基板的一面設置緩沖層,所述緩沖層覆蓋所述第一面,所述緩沖層設有過孔,所述過孔位置與所述源漏極對應;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





