[發明專利]形成源/漏接觸的方法及晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 202011436076.0
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN112635314B
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發明（設計）人: 劉金彪;羅軍;李俊峰;葉甜春
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/417;H01L21/336
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 金銘

本發明涉及一種形成源/漏接觸的方法及晶體管的制作方法。形成源/漏接觸的方法：刻蝕出源極接觸孔和漏極接觸孔，所述源極接觸孔底部為所述源極裸露的表面，所述漏極接觸孔底部為所述漏極裸露的表面；在所述源極接觸孔和所述漏極接觸孔內選擇性外延生長高摻雜的Si_xGe_1?x層，所述高摻雜的類型與源極、漏極的摻雜類型相同，0≤x≤1；在所述源極和所述漏極裸露的表面形成激光吸收層，其余結構表面形成激光反射層；對所述激光吸收層進行激光退火，發生熔融；去除所述激光吸收層和所述激光反射層；之后在所述源極接觸孔和所述漏極接觸孔內分別沉積金屬，形成源極接觸和漏極接觸。本發明能有效降低源漏接觸電阻。

技術領域

本發明涉及半導體生產工藝領域，特別涉及形成源/漏接觸的方法及晶體管的制作方法。

背景技術

在場效應晶體管中，源漏極的接觸電阻大小對器件特性非常重要，現有技術追求高濃度摻雜以降低接觸電阻，然而由于受到平衡固溶度的影響，摻雜存在飽和點，因此過高濃度摻雜對降低電阻無益，然而造成摻雜劑的浪費。

為此，提出本發明。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種形成源漏接觸的方法，該方法能有效降低源漏接觸電阻。

為了實現以上目的，本發明提供了以下技術方案。

形成源/漏接觸的方法，包括：

在半導體襯底上形成源極、漏極和柵極；

在所述源極的表面和漏極的表面形成介質層；

在所述介質層中刻蝕出源極接觸孔和漏極接觸孔，所述源極接觸孔底部為所述源極裸露的表面，所述漏極接觸孔底部為所述漏極裸露的表面；

在所述源極接觸孔和所述漏極接觸孔內選擇性外延生長摻雜的Si_xGe_1-x層，所述摻雜類型與源極、漏極的摻雜類型相同，0≤x≤1；

在所述源極和所述漏極裸露的表面形成激光吸收層，其余結構表面形成激光反射層；

對所述激光吸收層覆蓋的區域進行激光退火，發生熔融；

去除所述激光吸收層和所述激光反射層；

之后在所述源極接觸孔和所述漏極接觸孔內分別沉積金屬，形成源極接觸和漏極接觸。

晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

采用上文所述的方法形成源漏接觸；

形成柵極接觸；

引出電極。

與現有技術相比，本發明達到了以下技術效果：利用“選擇性外延+激光退火熔融”的手段，使高摻雜的Si_xGe_1-x層以源漏極的硅為籽晶層發生熔融，進而細化晶粒和修復晶格缺陷，這樣一方面既降低了接觸孔內Si_xGe_1-x層的電阻；另一方面，通過摻雜元素從Si_xGe_1-x層向源漏極的擴散運動提高了源漏區的摻雜濃度，使源漏極自身接觸電阻降低。

附圖說明

通過閱讀下文優選實施方式的詳細描述，各種其他的優點和益處對于本領域普通技術人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優選實施方式的目的，而并不認為是對本發明的限制。

圖1為本發明提供的形成有源/漏極的半導體結構示意圖；

圖2為圖1結構上形成Si_xGe_1-x層、激光吸收層和反射層后進行激光退火的示意圖；