[發明專利]形成源/漏接觸的方法及晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 202011436076.0
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN112635314B
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發明（設計）人: 劉金彪;羅軍;李俊峰;葉甜春
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/417;H01L21/336
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 金銘

1.形成源/漏接觸的方法，其特征在于，包括：

在半導體襯底上形成源極、漏極和柵極；

在所述源極的表面和漏極的表面形成介質層；

在所述介質層中刻蝕出源極接觸孔和漏極接觸孔，所述源極接觸孔底部為所述源極裸露的表面，所述漏極接觸孔底部為所述漏極裸露的表面；

在所述源極接觸孔和所述漏極接觸孔內選擇性外延生長摻雜的Si_xGe_1-x層，所述Si_xGe_1-x層的摻雜類型與源極、漏極的摻雜類型相同，0≤x≤1；

在所述源極和所述漏極裸露的表面形成激光吸收層，其余結構表面形成激光反射層；

對所述激光吸收層覆蓋的區域進行激光退火，發生熔融；

去除所述激光吸收層和所述激光反射層；

之后在所述源極接觸孔和所述漏極接觸孔內分別沉積金屬，形成源極接觸和漏極接觸。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述Si_xGe_1-x層為多層鍺含量不同的Si_xGe_1-x薄膜堆疊而成，并且隨著離所述源極和所述漏極的距離增加，Ge的含量降低。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光退火的工藝條件為：100mJ/cm²～10J/cm²，激光器為綠光或紫外激光器，波長范圍600nm。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延生長的溫度為300℃～600℃。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光吸收層的為氮化硅。

6.根據權利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述反射層為氮氧化硅。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述介質層為氧化硅。

8.晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

采用權利要求1-7任一項所述的方法形成源/漏接觸；

形成柵極接觸；

引出電極。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述Si_xGe_1-x層、所述源極和所述漏極的摻雜均為P型摻雜。

10.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述Si_xGe_1-x層、所述源極和所述漏極的摻雜均為N型摻雜。