[發(fā)明專利]一種利用等離子弧制備納米二氧化鋯粉體的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011435214.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112408473A | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王開新;楊得全;韓成良;謝勁松;趙世維 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 合肥中航納米技術(shù)發(fā)展有限公司 |
| 主分類號(hào): | C01G25/02 | 分類號(hào): | C01G25/02;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 合肥輝達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 34165 | 代理人: | 汪守勇 |
| 地址: | 231139 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 利用 等離子 制備 納米 氧化鋯 方法 | ||
一種利用等離子弧制備納米二氧化鋯粉體的方法,涉及納米氧化物粉體制備技術(shù)領(lǐng)域。對(duì)氫氧化鋯粉進(jìn)行研磨處理,通過等離子弧火焰燃燒法制備得到納米二氧化鋯粉體。首先,啟動(dòng)等離子電源,等離子弧反應(yīng)室頂部的發(fā)生器開始工作,形成等離子電弧焰流;然后通過進(jìn)料器向等離子弧反應(yīng)室內(nèi)部頂端輸送研磨處理后的氫氧化鋯粉,氫氧化鋯粉經(jīng)過等離子電弧焰流快速反應(yīng)獲得二氧化鋯粉體。能夠?qū)崿F(xiàn)二氧化鋯納米粉體的快速制備,通過一步法離子弧燃燒快速合成純度高、粉體比表面積大的納米二氧化鋯。離子弧反應(yīng)瞬間完成、可達(dá)到毫秒級(jí)別,制備產(chǎn)物顆粒小、無硬團(tuán)聚,且易超聲分散解聚,這對(duì)于氧化物納米粉體的制備領(lǐng)域具有積極的指導(dǎo)意義。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及納米氧化物粉體制備技術(shù)領(lǐng)域,具體是涉及一種利用等離子弧制備納米二氧化鋯粉體的方法。
背景技術(shù)
具有高熔點(diǎn)、高硬度、高化學(xué)穩(wěn)定性及優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)性能的二氧化鋯粉體,因其獨(dú)特的理化性能使得其在半導(dǎo)體器件、多孔陶瓷等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
目前,制備二氧化鋯粉體主要有固相反應(yīng)合成、液相合成等方法,但是,這類合成方法最大的缺陷在于制備產(chǎn)物顆粒大,團(tuán)聚想象嚴(yán)重,甚至部分工藝無法實(shí)現(xiàn)納米級(jí)別粉體的制備。同時(shí),這類合成方法普遍存在反應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)、能耗高等缺陷。
等離子弧燃燒法,是近年來逐漸受到關(guān)注的新穎制備方法,具有反應(yīng)時(shí)間短、產(chǎn)物純度高、粒度小等常規(guī)制備方法所不可比擬的優(yōu)點(diǎn)。目前,未見相關(guān)文獻(xiàn)報(bào)道將等離子弧燃燒法應(yīng)用在二氧化鋯納米粉體的制備中。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述存在制備二氧化鋯粉體出現(xiàn)的技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種利用等離子弧制備納米二氧化鋯粉體的方法,具有操作簡(jiǎn)便、純度較高等優(yōu)點(diǎn),同時(shí),克服了現(xiàn)有制備方法制備的二氧化鋯粉體所存在的上述技術(shù)難關(guān)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為:一種利用等離子弧制備納米二氧化鋯粉體的方法,首先對(duì)氫氧化鋯粉進(jìn)行研磨處理,然后通過等離子弧火焰燃燒法制備得到納米二氧化鋯粉體。
作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案,對(duì)氫氧化鋯粉進(jìn)行研磨處理的步驟為:
將氫氧化鋯粉加入至球磨機(jī)中進(jìn)行粗粉碎,然后利用圓盤氣流磨進(jìn)行超細(xì)粉碎。
作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案,通過等離子弧火焰燃燒法制備得到納米二氧化鋯粉體步驟為:
①、等離子弧火焰燃燒法反應(yīng)
首先,啟動(dòng)等離子電源,等離子弧反應(yīng)室頂部的發(fā)生器開始工作,形成等離子電弧焰流;然后通過進(jìn)料器向等離子弧反應(yīng)室內(nèi)部頂端輸送研磨處理后的氫氧化鋯粉,氫氧化鋯粉經(jīng)過等離子電弧焰流快速反應(yīng)獲得二氧化鋯粉體,并下落至等離子弧反應(yīng)室的底部;
②、二氧化鋯粉體的多級(jí)分離和收集
在氣流作用下,等離子弧反應(yīng)室底部的二氧化鋯粉體進(jìn)入多級(jí)分離器中,經(jīng)過多級(jí)分離后被收集器儲(chǔ)存;
③、氣流循環(huán)
抽氣泵置于收集器和凈化器之間,氣流從等離子弧反應(yīng)室依次進(jìn)入多級(jí)分離器、收集器、抽氣泵和凈化器,經(jīng)過凈化處理的氣體經(jīng)過壓縮機(jī)存儲(chǔ)升壓后再次通入等離子弧反應(yīng)室的頂部形成氣流循環(huán);凈化器和壓縮機(jī)之間的氣流管道上設(shè)有閥門,供輸入新鮮空氣+高純氧氣和排出氣體所用。
進(jìn)一步地,等離子弧反應(yīng)室頂部的焰流溫度為1500~2500℃可調(diào),反應(yīng)時(shí)間為低于1s。等離子電源的功率為30~70kW可調(diào)。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果表現(xiàn)在:
1)、實(shí)現(xiàn)了高純度納米二氧化鋯粉體的制備,具有工藝簡(jiǎn)便、成本低廉、產(chǎn)物純度高等優(yōu)點(diǎn),可以用于規(guī)模化生產(chǎn),可以顯著降低反應(yīng)溫度及生產(chǎn)能耗。
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