[發明專利]半導體器件及其形成方法

有效

• 申請號: 202011432877.X
• 申請日: 2020-12-09
• 公開（公告）號: CN112582476B
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 全芯智造技術有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/417
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 武振華;張振軍

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底的表面形成柵極結構；

形成第一介質層，所述第一介質層位于所述柵極結構的兩側，且所述第一介質層的頂部表面低于所述柵極結構的頂部表面；

形成第二介質層，所述第二介質層位于所述第一介質層的表面以及位于所述柵極結構的兩側，且所述第二介質層的寬度小于所述第一介質層的寬度；

去除所第一介質層，以暴露出所述第二介質層下方的柵極結構的側壁表面；形成源漏外延區，所述源漏外延區位于所述第二介質層的兩側以及所述第二介質層下方的柵極結構的兩側。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，形成第一介質層包括：

形成初始第一介質層，所述初始第一介質層覆蓋所述柵極結構；

對所述初始第一介質層進行平坦化；

對所述初始第一介質層進行刻蝕，以形成第一介質層。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一介質層與所述第二介質層的刻蝕比大于預設閾值，以對需要保留的第二介質層進行有效保護。

4.根據權利要求1或2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，

所述第一介質層的材料選自：SiCN、氧化硅以及氮化硅；

和/或，

所述第二介質層的材料選自：氧化硅以及氮化硅；

其中，所述第一介質層的材料不同于所述第二介質層的材料。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，形成第二介質層包括：

形成初始第二介質層，所述初始第二介質層覆蓋所述柵極結構以及所述第一介質層；

對所述初始第二介質層進行刻蝕，以形成第二介質層。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第二介質層的頂部表面與所述柵極結構的頂部表面齊平。

7.根據權利要求1-2或5-6任一項所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述源漏外延區的頂部表面低于所述柵極結構的頂部表面。

8.根據權利要求2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，在所述半導體襯底的表面形成柵極結構包括：

形成側墻，所述側墻位于所述柵極結構的兩側；

其中，所述第一介質層以及所述第二介質層位于所述側墻的兩側。

9.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體襯底；

柵極結構，位于所述半導體襯底的表面；

第二介質層，位于所述柵極結構的兩側；

源漏外延區，位于所述第二介質層的兩側以及所述第二介質層下方的柵極結構的兩側；

其中，所述源漏外延區是在去除第一介質層，以暴露出所述第二介質層下方的柵極結構的側壁表面之后形成的；

所述第一介質層是在形成第二介質層之前形成的，所述第一介質層位于所述柵極結構的兩側，且所述第一介質層的頂部表面低于所述柵極結構的頂部表面；

所述第二介質層位于所述第一介質層的表面且所述第二介質層的寬度小于所述第一介質層的寬度。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述第二介質層的表面與所述柵極結構的頂部表面齊平。