[發明專利]一種壓電陶瓷片磁控濺射鍍膜工藝及應用

在審

• 申請號: 202011432738.7
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN112538609A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 朱惠祥;李楓
• 申請（專利權）人: 廣州凱立達電子股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/18;C22C9/06;G10K9/122;G10K9/18
• 代理公司: 廣州一銳專利代理有限公司 44369
• 代理人: 甘奎強;胡玉蓮

1.一種壓電陶瓷片磁控濺射鍍膜工藝，其特征在于，包含以下步驟：

（1）用硅油清洗待鍍壓電陶瓷片，清洗完后用無塵布擦拭干凈，再用酒精清洗，烘干；

（2）以銅-鎳為靶材，抽真空至腔室真空度達到0.05~0.15Pa，通入惰性氣體，采用磁控濺射工藝，在功率為100~120W，濺射氣壓為1~1.5Pa，濺射時間為25~35min，基片溫度為150~200℃條件下，在壓電陶瓷片的兩個表面形成厚度均勻的銅-鎳金屬層。

2.根據權利要求1所述的壓電陶瓷片磁控濺射鍍膜工藝，其特征在于，所述銅-鎳合金靶材由以下重量份原料制成：50~60份銅、20~30份鎳、2~4份鋁、0.5~1.5份銀、0.2~0.4份稀土。

3.根據權利要求2所述的壓電陶瓷片磁控濺射鍍膜工藝，其特征在于，所述稀土為釤。

4.根據權利要求2所述的壓電陶瓷片磁控濺射鍍膜工藝，其特征在于，所述銅-鎳靶材的制備方法為：按照配比將金屬加入到熔煉爐中，升溫至1400~1500℃，熔煉，出爐前，在氬氣保護作用下加入稀土熔煉完全，進行機加工，制成所需尺寸的靶材。

5.根據權利要求4所述的壓電陶瓷片磁控濺射鍍膜工藝，其特征在于，所述熔煉時間為40~50min。

6.根據權利要求1所述的壓電陶瓷片磁控濺射鍍膜工藝，其特征在于，所述銅-鎳金屬層的厚度為250~350nm。

7.根據權利要求1所述的壓電陶瓷片磁控濺射鍍膜工藝，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣。

8.根據權利要求1所述的壓電陶瓷片磁控濺射鍍膜工藝，其特征在于，所述惰性氣體通入流量密度為60~70sccm。

9.權利要求1~8所述的壓電陶瓷片磁控濺射鍍膜工藝在制備蜂鳴片中的應用。

10.根據權利要求9所述的應用，其特征在于，在鍍膜完成后，極化，再與金屬片粘結，即得到蜂鳴片。