[發明專利]光傳感器和顯示裝置

有效

• 申請號: 202011430485.X
• 申請日: 2020-12-07
• 公開（公告）號: CN112599630B
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發明（設計）人: 蔡廣爍
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L31/113
• 分類號: H01L31/113;H01L27/144
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

1.一種光傳感器，其特征在于，包括：

襯底；

柵極層，設置于所述襯底一側；

柵極絕緣層，設置于所述柵極層遠離所述襯底的一側；

有源層，設置于所述柵極絕緣層遠離所述柵極層的一側，所述有源層圖案化形成有第一有源圖案和第二有源圖案；

源漏極層，圖案化形成有第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極；

保護層，設置于所述源漏極層上，并形成有過孔；

其中，所述光傳感器包括光傳感器電路，所述光傳感器電路包括光傳感晶體管和開關晶體管，所述光傳感晶體管包括第一有源圖案，所述開關晶體管包括第二有源圖案，所述第一有源圖案的材料包括非晶硅，所述第一有源圖案的溝道區的厚度等于或者大于5000埃；所述光傳感晶體管的第一源極或者第一漏極與開關晶體管的第二漏極或者第二源極通過源漏極層的金屬線連接。

2.如權利要求1所述的光傳感器，其特征在于，所述第一有源圖案的厚度大于所述第二有源圖案的厚度，且所述第一有源圖案的寬長比等于或者大于所述第二有源圖案的寬長比。

3.如權利要求1所述的光傳感器，其特征在于，所述第一有源圖案的厚度大于所述第二有源圖案的厚度，且所述第一有源圖案的體積小于或者等于所述第二有源圖案的體積。

4.如權利要求1所述的光傳感器，其特征在于，所述第一有源圖案包括非摻雜有源部分和摻雜有源部分，所述非摻雜有源部分包括高速非晶硅部分和低速非晶硅部分，所述高速非晶硅部分的厚度范圍為所述低速非晶硅部分的厚度的40至60倍。

5.如權利要求1所述的光傳感器，其特征在于，所述有源層包括第一有源層和第二有源層，所述第一有源層圖案化形成有第一有源圖案，所述第二有源層圖案化形成有第二有源圖案。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括光傳感器和顯示面板，所述光傳感器包括：

襯底；

柵極層，設置于所述襯底一側；

柵極絕緣層，設置于所述柵極層遠離所述襯底的一側；

有源層，設置于所述柵極絕緣層遠離所述柵極層的一側，所述有源層圖案化形成有第一有源圖案和第二有源圖案；

源漏極層，圖案化形成有第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極；

保護層，設置于所述源漏極層上，并形成有過孔；

其中，所述光傳感器包括光傳感器電路，所述光傳感器電路包括光傳感晶體管和開關晶體管，所述光傳感晶體管包括第一有源圖案，所述開關晶體管包括第二有源圖案，所述第一有源圖案的材料包括非晶硅，所述第一有源圖案的溝道區的厚度等于或者大于5000埃；所述光傳感晶體管的第一源極或者第一漏極與開關晶體管的第二漏極或者第二源極通過源漏極層的金屬線連接。

7.如權利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置還包括公共電極層，所述公共電極層刻蝕形成有遮光圖案，所述遮光圖案設置于所述開關晶體管對應區域。

8.如權利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置還包括平坦化層，所述平坦化層對應所述光傳感晶體管的厚度小于對應所述開關晶體管的厚度。