[發(fā)明專利]光傳感器和顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011430485.X | 申請(qǐng)日: | 2020-12-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112599630B | 公開(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡廣爍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/113 | 分類號(hào): | H01L31/113;H01L27/144 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠(yuǎn)明 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 傳感器 顯示裝置 | ||
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種光傳感器和顯示裝置,該光傳感器包括襯底、柵極層、柵極絕緣層、有源層、源漏極層、保護(hù)層,其中,光傳感器包括光傳感器電路,光傳感器電路包括光傳感器晶體管和開關(guān)晶體管,光傳感晶體管包括第一有源圖案,開關(guān)晶體管包括第二有源圖案,第一有源圖案的材料包括非晶硅,第一有源圖案的溝道區(qū)的厚度等于或者大于5000埃;本申請(qǐng)實(shí)施例通過(guò)采用光傳感晶體管和開關(guān)晶體管形成光傳感器電路,并在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中,采用非晶硅作為光傳感晶體管的第一有源圖案,使得第一有源層圖案的溝道區(qū)的厚度等于或者大于5000埃,從而提高了光傳感晶體管的光生載流子數(shù)量,從而使得光傳感器的響應(yīng)較高,提高了指紋或者指紋識(shí)別成功率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及傳感技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種光傳感器和顯示裝置。
背景技術(shù)
隨著電子商務(wù)的快速發(fā)展,現(xiàn)有線上交易系統(tǒng)為了實(shí)現(xiàn)安全性,會(huì)采用指紋或者掌紋識(shí)別,但現(xiàn)有的指紋識(shí)別光學(xué)傳感器存在成本高,體積大和圖像失真等問(wèn)題,因此會(huì)設(shè)計(jì)基于硅芯片的傳感器,但基于硅芯片的傳感器容易發(fā)生靜電擊穿,還會(huì)受到環(huán)境影響,導(dǎo)致基于硅芯片的傳感器性能較差,且由于指紋或者指紋的反射光較弱,且指紋間距較小,使得傳感器需要在較小的占比面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)較高的高光響應(yīng),但現(xiàn)有的光傳感器在無(wú)法滿足需求,且在高負(fù)壓下,現(xiàn)有的光傳感器容易出現(xiàn)Poole-Frenkel效應(yīng),導(dǎo)致光傳感器的明暗電流比和可靠性降低。
所以,現(xiàn)有的指紋識(shí)別光傳感器存在響應(yīng)較低,導(dǎo)致識(shí)別成功率較差的技術(shù)問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種光傳感器和顯示裝置,用以解決現(xiàn)有的指紋識(shí)別光傳感器存在響應(yīng)較低,導(dǎo)致識(shí)別成功率較差的技術(shù)問(wèn)題。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種光傳感器,該光傳感器包括:
襯底;
柵極層,設(shè)置于所述襯底一側(cè);
柵極絕緣層,設(shè)置于所述柵極層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè);
有源層,設(shè)置于所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極層的一側(cè),所述有源層圖案化形成有第一有源圖案和第二有源圖案;
源漏極層,圖案化形成有第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極;
保護(hù)層,設(shè)置于所述源漏極層上,并形成有過(guò)孔;
其中,所述光傳感器包括光傳感器電路,所述光傳感器電路包括光傳感晶體管和開關(guān)晶體管,所述光傳感晶體管包括第一有源圖案,所述開關(guān)晶體管包括第二有源圖案,所述第一有源圖案的材料包括非晶硅,所述第一有源圖案的溝道區(qū)的厚度等于或者大于5000埃。
在一些實(shí)施例中,所述第一有源圖案的厚度大于所述第二有源圖案的厚度,且所述第一有源圖案的寬長(zhǎng)比等于或者大于所述第二有源圖案的寬長(zhǎng)比。
在一些實(shí)施例中,所述第一有源圖案的厚度大于所述第二有源圖案的厚度,且所述第一有源圖案的體積小于或者等于所述第二有源圖案的體積。
在一些實(shí)施例中,所述第一有源圖案包括非摻雜有源部分和摻雜有源部分,所述非摻雜有源部分包括高速非晶硅部分和低速非晶硅部分,所述高速非晶硅部分的厚度范圍為所述低速非晶硅部分的厚度的40至60倍。
在一些實(shí)施例中,所述有源層包括第一有源層和第二有源層,所述第一有源層圖案化形成有第一有源圖案,所述第二有源層圖案化形成有第二有源圖案。
在一些實(shí)施例中,所述光傳感器還包括金屬圖案,所述金屬圖案通過(guò)所述保護(hù)層的過(guò)孔連接所述第一源極和第二漏極或者連接所述第一漏極和第二源極。
同時(shí),本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種顯示裝置,該顯示裝置包括光傳感器和顯示面板,所述光傳感器包括:
襯底;
柵極層,設(shè)置于所述襯底一側(cè);
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





