[發明專利]顯示面板在審
| 申請號: | 202011429842.0 | 申請日: | 2020-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN112563309A | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發明(設計)人: | 李春延;許晨;王景泉 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云;劉曉冰 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 | ||
1.一種顯示面板,具有顯示區和圍繞所述顯示區的周邊區,所述周邊區包括第一周邊區、彎折區和第二周邊區,所述第一周邊區位于所述第二周邊區的靠近所述顯示區的一側,所述彎折區設置在所述第一周邊區和所述第二周邊區之間;所述顯示面板包括:
襯底基板;
驅動電路層,設置在所述襯底基板上;
第一有機結構,設置在所述驅動電路層的遠離所述襯底基板的一側,位于所述第一周邊區;
封裝層,設置在所述有機結構的遠離所述襯底基板的一側,覆蓋所述顯示區和至少部分所述第一周邊區;
其中,所述第一有機結構包括間隔排布的第一阻擋壩和第二阻擋壩,所述第一阻擋壩位于所述第二阻擋壩的靠近所述顯示區的一側;
第一阻擋壩和第二阻擋壩中的至少一個的表面具有至少一個第二凹槽,所述至少一個第二凹槽沿平行于所述彎折區的彎折軸的方向延伸。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述至少一個第二凹槽包括n-1個第二凹槽,所述第一阻擋壩和第二阻擋壩中的至少一個被所述n-1個第二凹槽分為n個部分,n為大于等于2的正整數,
以從所述顯示區到所述彎折區的方向為第一方向,在所述第一方向上,所述n個部分的寬度依次為w1、w2、…、wn,所述n-1個第二凹槽的寬度為d1、d2、…dn-1,d表示d1、d2、…dn-1中的至少一個,且
d2×(w1+w2+…wn)/n;w1,w2,…,wn0。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其中,所述n個部分包括第i部分和第j部分,所述第i部分的寬度為wi,第j部分的寬度為wj,所述第i部分和所述第j部分之間具有第i凹槽,所述第i凹槽的寬度為di,其中,
di|wi–wj|,1i≤n-1,1j≤n,j=i+1。
4.根據權利要求2所述的顯示面板,其中,所述w1、w2、…、wn依次增大,且依次增大的量為w1×(25%~50%)。
5.根據權利要求3所述的顯示面板,其中,所述第一阻擋壩和第二阻擋壩中的至少一個的厚度為H,所述第二凹槽的深度為h,其中,
h=k×H,0.5≤k≤1。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其中,所述第二阻擋壩的表面具有所述至少一個第二凹槽,所述第二阻擋壩包括相對的第一側壁和第二側壁,所述第一側壁相比于所述第二側壁更靠近所述顯示區,所述第一側壁與所述襯底基板所在的平面所形成的坡度角為b1,
所述第二凹槽包括相對的第三側壁和第四側壁,所述第三側壁相比于所述第四側壁更靠近所述顯示區,所述第三側壁與所述襯底基板所在的平面所形成的坡度角為c1,所述第四側壁與所述襯底基板所在的平面所形成的坡度角為c2,c表示c1和c2中的至少一個,
h/tan c+H/tan b1w1,
arctan[k×H/(w1-H/tan b1)]c90°。
7.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述至少一個第二凹槽的平面形狀為矩形、梯形或者六邊形。
8.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述至少一個第二凹槽包括多個第二凹槽,所述多個第二凹槽沿平行于所述彎折區的彎折軸的方向延伸,
以從所述顯示區到所述彎折區的方向為第一方向,在所述第一方向上,所述多個第二凹槽依次排布,且延伸長度逐漸減小。
9.根據權利要求1所述的顯示面板,還包括陣列排布的多個子像素,所述多個子像素中的每個包括像素驅動電路和發光器件,所述像素驅動電路包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括柵極和源漏極,所述發光器件包括第一電極、第二電極和所述第一電極和所述第二電極之間的發光層,所述第一電極與所述源漏極電連接,
所述顯示面板還包括位于所述周邊區的第一電源走線,所述第一電源走線包括并聯的第一部分和第二部分,所述第一部分與所述源漏極同層設置,所述第二部分與所述第一電極同層設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





