[發(fā)明專利]顯示面板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011429842.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112563309A | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李春延;許晨;王景泉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 彭久云;劉曉冰 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 | ||
一種顯示面板,該顯示面板具有顯示區(qū)和周邊區(qū),周邊區(qū)包括第一周邊區(qū)、彎折區(qū)和第二周邊區(qū);顯示面板包括襯底基板、驅(qū)動(dòng)電路層、第一有機(jī)結(jié)構(gòu)和封裝層,第一有機(jī)結(jié)構(gòu)設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電路層的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè),位于第一周邊區(qū);封裝層設(shè)置在有機(jī)結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè),覆蓋顯示區(qū)和至少部分第一周邊區(qū);第一有機(jī)結(jié)構(gòu)包括間隔排布的第一阻擋壩和第二阻擋壩,第一阻擋壩位于第二阻擋壩的靠近顯示區(qū)的一側(cè);第一阻擋壩和第二阻擋壩中的至少一個(gè)的表面具有至少一個(gè)第二凹槽,該至少一個(gè)第二凹槽沿平行于彎折區(qū)的彎折軸的方向延伸。該顯示面板具有較高的信賴性。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開的實(shí)施例涉及一種顯示面板。
背景技術(shù)
AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode,有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管)是一種自發(fā)光顯示器,具有反應(yīng)速度更快、對(duì)比度更高、視角更廣等優(yōu)點(diǎn),因此得到了越來越廣泛的應(yīng)用。
隨著AMOLED技術(shù)的迅速發(fā)展,顯示器逐步進(jìn)入了全面屏、折疊屏?xí)r代,為了給用戶帶來更好的使用體驗(yàn),卷曲穿戴、折疊等顯示產(chǎn)品必將成為未來顯示領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。
發(fā)明內(nèi)容
本公開至少一實(shí)施例提供一種顯示面板,該顯示面板具有顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的周邊區(qū),所述周邊區(qū)包括第一周邊區(qū)、彎折區(qū)和第二周邊區(qū),所述第一周邊區(qū)位于所述第二周邊區(qū)的靠近所述顯示區(qū)的一側(cè),所述彎折區(qū)設(shè)置在所述第一周邊區(qū)和所述第二周邊區(qū)之間;所述顯示面板包括襯底基板、驅(qū)動(dòng)電路層、第一有機(jī)結(jié)構(gòu)和封裝層,第一有機(jī)結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)電路層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),位于所述第一周邊區(qū);封裝層設(shè)置在所述有機(jī)結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),覆蓋所述顯示區(qū)和至少部分所述第一周邊區(qū);所述第一有機(jī)結(jié)構(gòu)包括間隔排布的第一阻擋壩和第二阻擋壩,所述第一阻擋壩位于所述第二阻擋壩的靠近所述顯示區(qū)的一側(cè);第一阻擋壩和第二阻擋壩中的至少一個(gè)的表面具有至少一個(gè)第二凹槽,所述至少一個(gè)第二凹槽沿平行于所述彎折區(qū)的彎折軸的方向延伸。
例如,本公開至少一實(shí)施例提供的顯示面板中,所述至少一個(gè)第二凹槽包括n-1個(gè)第二凹槽,所述第一阻擋壩和第二阻擋壩中的至少一個(gè)被所述n-1個(gè)第二凹槽分為n個(gè)部分,n為大于等于2的正整數(shù),以從所述顯示區(qū)到所述彎折區(qū)的方向?yàn)榈谝环较?,在所述第一方向上,所述n個(gè)部分的寬度依次為w1、w2、…、wn,所述n-1個(gè)第二凹槽的寬度為d1、d2、…dn-1,d表示d1、d2、…dn-1中的至少一個(gè),且
d2×(w1+w2+…wn)/n;w1,w2,…,wn0。
例如,本公開至少一實(shí)施例提供的顯示面板中,所述n個(gè)部分包括第i部分和第j部分,所述第i部分的寬度為wi,第j部分的寬度為wj,所述第i部分和所述第j部分之間具有第i凹槽,所述第i凹槽的寬度為di,其中,
di|wi–wj|,1i≤n-1,1j≤n,j=i+1。
例如,本公開至少一實(shí)施例提供的顯示面板中,所述w1、w2、…、wn依次增大,且依次增大的量為w1×(25%~50%)。
例如,本公開至少一實(shí)施例提供的顯示面板中,所述第一阻擋壩和第二阻擋壩中的至少一個(gè)的厚度為H,所述第二凹槽的深度為h,其中,
h=k×H,0.5≤k≤1。
例如,本公開至少一實(shí)施例提供的顯示面板中,所述第二阻擋壩的表面具有所述至少一個(gè)第二凹槽,所述第二阻擋壩包括相對(duì)的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁,所述第一側(cè)壁相比于所述第二側(cè)壁更靠近所述顯示區(qū),所述第一側(cè)壁與所述襯底基板所在的平面所形成的坡度角為b1,所述第二凹槽包括相對(duì)的第三側(cè)壁和第四側(cè)壁,所述第三側(cè)壁相比于所述第四側(cè)壁更靠近所述顯示區(qū),所述第三側(cè)壁與所述襯底基板所在的平面所形成的坡度角為c1,所述第四側(cè)壁與所述襯底基板所在的平面所形成的坡度角為c2,c表示c1和c2中的至少一個(gè),
h/tanc+H/tanb1w1,
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





