[發明專利]一種CLBO晶體拋光工藝

在審

• 申請號: 202011429048.6
• 申請日: 2020-12-09
• 公開（公告）號: CN112454019A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 袁英杰;陳曉潔;葉青;李雄;陳偉;張星;陳秋華
• 申請（專利權）人: 福建福晶科技股份有限公司
• 主分類號: B24B1/00
• 分類號: B24B1/00;B24B41/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及一種CLBO（CsLiB₆O₁₀硼酸銫鋰）晶體的無水拋光工藝。該拋光工藝包括拉亮、粗拋和精拋三個工序，各工序使用的拋光輔料均不含水；拉亮工序采用蓖麻油及W1.0鉆石粉混合液在聚氨酯盤拉亮去除砂眼并控制平行度；粗拋工序采用蓖麻油在瀝青盤上拋光控制平面度、平行度、光潔度等指標；精拋工序采用無水試劑OPW在黑色絨布盤上拋光進一步優化光潔度。該工藝在保證產品平面度、光潔度等指標滿足要求的前提下，解決了CLBO晶體傳統含水拋光易吸潮開裂的技術難題。

技術領域

本發明涉及倍頻晶體領域的拋光工藝，特別涉及一種CLBO無水拋光工藝。

背景技術

CLBO（CsLiB6O10硼酸銫鋰）是一種綜合性能優良、能產生多種倍頻波長的新型非線性晶體材料，倍頻激光性能穩定，光束質量好，具有倍頻轉換效率高、激光損傷閾值高的特點，其接收角、溫度帶寬和光譜寬度都很寬，離散角小，雙折射適中，很容易產生2ω、3ω、4ω、5ω倍頻激光輸出；用CLBO晶體研制全固態紫外激光器的前景看好。

但在實際加工和應用過程中CLBO容易受到環境中水汽的影響，因此在表面加工過程的關鍵點是隔絕CLBO晶體與水及任何含水試劑接觸。而傳統的拋光工藝，在拉亮工序使用的氧化鈰溶液、粗拋工序和精拋工序使用的鉆石粉溶液都是與水進行相應配比后的拋光試劑，不適用于CLBO的加工。加工過程不能使用水劑，給加工帶來一定的困難，尤其對于提升加工速率和表面質量是一個難題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種保證CLBO晶體進行表面加工不潮解開裂，提升加工效率和表面質量的拋光工藝。

為達此目的，本發明采用以下技術方案：

一種CLBO晶體無水拋光工藝，包括拉亮、粗拋和精拋三個工序，所有工序使用的拋光輔料均不含水；其工藝步驟如下：第一道拉亮在二軸機上使用蓖麻油和W1.0鉆石粉混合液在聚氨酯盤拉亮去除砂眼并控制平行度；第二道粗拋在二軸機上使用蓖麻油在瀝青盤上進行拋光，控制平面度、平行度、光潔度等加工指標；第三道精拋在二軸機上使用無水拋光液OPW在黑色絨布盤上進一步拋光，優化光潔度。

本發明具有以下優點：

1、采用無水拋光工藝，確保CLBO晶體在拋光過程中不發生潮解開裂；

2、晶體拋光效率高，表面質量好。

具體實施方式

以下結合尺寸為6.9×6.9×5的CLBO晶體拋光實施例對本發明作進一步說明：

加工設備：二軸機；

輔助材料：蓖麻油和W1.0鉆石粉混合液、蓖麻油、無水拋光液OPW；

拋光過程：

拉亮工序：在二軸機上使用蓖麻油和W1.0鉆石粉混合液在聚氨酯盤拉亮去除砂眼并控制平行度，經檢驗拉亮后晶體通光面兩個面總的去除量為30μm；

粗拋工序：在二軸機上使用蓖麻油在瀝青盤上進行拋光，控制平面度、平行度、光潔度等加工指標，經檢驗粗拋后晶體通光面兩個面總的去除量為20μm；

精拋工序：在二軸機上使用無水拋光液OPW在黑色絨布盤上進一步拋光，優化光潔度。經檢驗精拋后晶體通光面兩個面總的去除量小于1μm, 200倍顯微鏡下光潔度S/D 達10/5，平面度達λ/8。

綜上，采取無水拋光工藝的6.9×6.9×5 CLBO晶體各項指標均能滿足要求，并可獲得高表面質量的CLBO晶體。