[發明專利]一種氮化鎵反應釜的分部清洗裝置及分部清洗方法在審
| 申請號: | 202011427308.6 | 申請日: | 2020-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN112620270A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發明(設計)人: | 喬焜;邵文鋒;林岳明 | 申請(專利權)人: | 國鎵芯科(深圳)半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | B08B9/093 | 分類號: | B08B9/093;B08B13/00;F26B21/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氮化 反應 分部 清洗 裝置 方法 | ||
本發明公開了一種氮化鎵反應釜的分部清洗裝置及分部清洗方法,屬于一種清洗裝置和清洗方法,分部清洗裝置用于清洗至少具有釜蓋和釜體的反應釜,包括清洗模組和管路系統,所述清洗模組至少包括若干用于清洗釜體的釜體清洗部、以及若干用于清洗釜蓋的釜蓋清洗部,所述管路系統將反應溶液、水和高溫氣體依次地分別通入釜體清洗部和釜蓋清洗部,以釜體清洗部中的釜體和清洗釜蓋清洗部中的釜蓋;解決了現有技術的清洗裝置無法滿足大尺寸的反應釜的清洗需求的問題。
技術領域
本發明涉及一種清洗裝置和清洗方法,尤其涉及一種氮化鎵反應釜的分部清洗裝置及分部清洗方法。
背景技術
氮化鎵晶體是第三代半導體材料,其具有優異的光電性能、熱穩定性和化學穩定性。生產氮化鎵晶體的方法主要有氫化物氣相外延法(HVPE)、助熔劑法(Na Flux)和氨熱法(Ammonothermal Method)。其中,在采用氨熱法生產氮化鎵晶體時,生產結束時,其使用的反應釜的內壁會殘留礦化物、氮化鎵多晶及反應中間物等殘留物,若不將殘留物清洗干凈,將影響反應釜的使用壽命及氮化鎵晶體的生產質量。
現有授權公告號為CN209205968U的一件中國發明專利提供了一種用于生產氮化鎵晶體的反應釜的清洗裝置,其包括清洗工位、管路系統和控制系統,控制系統控制管路系統依次對清洗工位中的反應釜進行反應溶液清洗、去離子水清洗、高溫氮烘干;但是這種清洗裝置無法滿足大尺寸的反應釜的清洗需求,因此有待改善。
發明內容
為了克服現有技術的不足,本發明提供一種氮化鎵反應釜的分部清洗裝置及分部清洗方法,以解決上述的技術問題。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:
一種氮化鎵反應釜的分部清洗裝置,用于清洗至少具有釜蓋和釜體的反應釜,包括清洗模組和管路系統,所述清洗模組至少包括若干用于清洗釜體的釜體清洗部、以及若干用于清洗釜蓋的釜蓋清洗部,所述管路系統將反應溶液、水和高溫氣體依次地分別通入釜體清洗部和釜蓋清洗部,以釜體清洗部中的釜體和清洗釜蓋清洗部中的釜蓋。
通過采用上述技術方案,鑒于當前所使用的反應釜存在尺寸較大,普通清洗裝置無法滿足清洗需求,本發明將反應釜拆開分為釜蓋和釜體等多個部分,之后再通過設置釜蓋清洗部和釜體清洗部等多個清洗部,來對反應釜的各個零部件分別地進行清洗;也為同時清洗大量大尺寸反應釜提供高效靈活的清洗方法,從而解決現有的清洗裝置無法滿足大尺寸反應釜的清洗需求的問題;
此外,本發明當中無論是對反應釜的釜蓋進行清洗,還是釜體進行清洗,清洗工藝均包括三個工藝步驟,即先通過反應溶液與反應釜內壁殘留的原材料、礦化劑或反應中間物進行充分反應,然后利用去離子水進行沖洗,最后通過高溫氣體干燥。
作為優選,所述分部清洗裝置用于清洗包括釜蓋、釜體和連接件的反應釜,所述清洗模組包括用于清洗釜體的釜體清洗部、用于清洗釜蓋的釜蓋清洗部、以及用于清洗連接件的連接件清洗部。
通過采用上述技術方案,本發明給出一個較佳的方式,即將反應釜分成釜蓋、釜體和連接件這三個部分,然后通過設置釜蓋清洗部、釜體清洗部和連接件清洗部來分別對這三個部分進行清洗工作,以實現分部清洗,避免因反應釜尺寸過大而導致的清洗不便。
作為優選,所述管路系統包括溶液槽、主水管、氣體控制箱、進液管、進水管、進氣管和噴淋管;所述溶液槽用于盛放反應溶液,且通過若干進液管將反應溶液分別通入不同清洗部;所述主水管內通有水,且通過若干進水管將水分別通入清洗模組當中的不同清洗部;所述氣體控制箱用于加熱氣體,且通過進氣管將高溫氣體分別通入不同清洗部。
通過采用上述技術方案,溶液槽為反應溶液的儲存地方,若清洗工作需用到反應溶液,則通過供液泵等部件將反應溶液泵至所需要的清洗部;主水管為各個清洗部供水;氣體控制箱當中設有多個加熱器,加熱器用于加熱氣體控制箱內的氣體,經過加熱形成高溫氣體通至各個清洗部以干燥反應釜。
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