[發明專利]晶圓承載裝置在審
| 申請號: | 202011423418.5 | 申請日: | 2020-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN112635369A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發明(設計)人: | 王海賓;王澤飛 | 申請(專利權)人: | 華虹半導體(無錫)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 欒美潔 |
| 地址: | 214028 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 承載 裝置 | ||
本發明公開了一種晶圓承載裝置,其包括第一支撐部、第二支撐部和第三支撐部,第三支撐部位于第一支撐部和第二支撐部之間,所述第三支撐部具有多個平行的限位塊,相鄰限位塊之間形成供晶圓插入的插槽,所述插槽在平行于限位塊排列方向的平面內的投影由上部的喇叭形開口和下部的長條形盲孔組成,所述喇叭形開口的下端與長條形盲孔的上端連接,所述喇叭形開口為弧形結構且由上至下呈減縮狀。本發明將第三支撐部中的插槽由帶夾角的Y型改進為帶弧度的Y型,既能減小晶圓與第三支撐部的插槽之間的阻力,有助于晶圓自由下落,又可以更好地固定晶圓并保持晶圓之間的間距,使得晶圓在傳輸過程或者加工過程中不會發生晃動,避免了疊片或斜插等情況的發生。
技術領域
本發明與半導體集成電路制造技術有關,具體涉及一種晶圓承載裝置。
背景技術
晶圓的制造工藝復雜,擁有很多工序,不同工序中使用了不同的化學材料,通常會在晶圓表面殘留化學劑、顆粒、金屬等雜質,如果不及時清洗干凈,會隨著生產制造逐漸累積,影響最終的質量。在晶圓制造工藝中,一般存在五個清洗步驟,分別是顆粒去除清洗、刻蝕后清洗、預擴散清洗、金屬離子去除清洗和薄膜去除清洗。因此,作為清洗工藝的基礎,清洗設備成為了制程發展的關鍵。
按照清洗方式的不同,清洗設備可分為單片式和槽式兩種,其中槽式清洗設備清洗效率較高,成本較低。目前,常用的濕法槽式清洗機采用的是平臺式(Bench式)工藝模式。
在清洗過程中,晶圓需間隔地放置在承載晶圓的裝置,所以晶圓傳輸過程中,在晶圓加工前需要合批,工藝結束后分批,以及在槽內清洗時,都需要這種晶圓承載裝置(waferguide)。
現有的晶圓承載裝置2包括第一支撐部21、第二支撐部22和第三支撐部23三個支撐部分,如圖1所示,第三支撐部23位于第一支撐部21和第二支撐部22之間,其中,左右兩個支撐部21、22主要對晶圓進行承載,中間的第三支撐部23主要起到固定晶圓1的作用。具體的,中間的第三支撐部23具有多個供晶圓1插入的插槽231(slot),如圖2所示,插槽231的截面呈Y型,如圖4所示,目前常用的晶圓承載裝置中,插槽的寬度為0.8mm。
現有晶圓承載裝置的結構存在不足,主要在于晶圓的厚度約為0.75mm~0.8mm,工藝過后的晶圓的厚度接近晶圓承載裝置的插槽的寬度,所以將晶圓放置在晶圓承載裝置上面時,由于插槽的Y型結構,使得晶圓與插槽轉折處阻力較大,晶圓無法自然地落入插槽中,如圖2所示的右側晶圓,進而導致晶圓會發生較大的晃動,晶圓上邊緣容易發生重疊或接觸,如圖3所示(虛線所示為晶圓晃動后造成上邊緣接觸),造成晶圓傳輸到下一單元時容易發生疊片或斜插或晶圓破損的問題。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種晶圓承載裝置,可以解決現有技術中晶圓放置過程中容易發生斜插錯位導致晶圓破損的問題。
為解決上述技術問題,本發明提供的晶圓承載裝置,其特征在于,其包括第一支撐部、第二支撐部和第三支撐部,所述第三支撐部位于所述第一支撐部和所述第二支撐部之間,所述第三支撐部具有多個平行的限位塊,相鄰的所述限位塊之間形成供晶圓插入的插槽,所述插槽在平行于所述限位塊排列方向的平面內的投影由上部的喇叭形開口和下部的長條形盲孔組成,所述喇叭形開口的下端與所述長條形盲孔的上端連接,所述喇叭形開口為弧形結構且由上至下呈減縮狀。
進一步的,所述第一支撐部與所述晶圓的接觸面為弧形面。
進一步的,所述第二支撐部與所述晶圓的接觸面為弧形面。
進一步的,所述第一支撐部的底部、第二支撐部的底部和所述第三支撐部的底部連接在一起。
進一步的,所述第一支撐部、所述第二支撐部和所述第三支撐部為相互獨立的分體結構。
進一步的,所述晶圓承載裝置安裝在晶圓傳送設備中。
進一步的,所述晶圓承載裝置安裝在槽式清洗機的升降機構中。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





