[發明專利]帶有掃描線圈的離子鍍膜裝置在審
| 申請號: | 202011423394.3 | 申請日: | 2020-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN112359330A | 公開(公告)日: | 2021-02-12 |
| 發明(設計)人: | 馮森;蹤雪梅;劉威 | 申請(專利權)人: | 江蘇徐工工程機械研究院有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/32 | 分類號: | C23C14/32 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 艾春慧 |
| 地址: | 221004 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 帶有 掃描 線圈 離子 鍍膜 裝置 | ||
1.一種帶有掃描線圈的離子鍍膜裝置,用于對工件(11)鍍膜,其特征在于,包括:
離子源,被配置為釋放用于所述工件(11)鍍膜的等離子體;和
掃描線圈(2),包括同軸設置的第一線圈(16)和第二線圈(17);
控制器(9),與所述第一線圈(16)和所述第二線圈(17)信號連接,被配置為通過控制所述第一線圈(16)和第二線圈(17)的通電情況以使所述掃描線圈(2)產生不同狀態的磁場以控制所述等離子體的運動方向,以控制所述等離子體在所述工件(11)上的沉積區域。
2.如權利要求1所述的帶有掃描線圈的離子鍍膜裝置,其特征在于,所述控制器(9)和所述掃描線圈(2)被配置為使所述掃描線圈(2)具有:
第一狀態,在所述第一狀態,過所述掃描線圈(2)的軸線的中心平面的第一側的磁場強度大于與所述第一側相對的所述中心平面的第二側的磁場強度;
第二狀態,在所述第二狀態,所述第二側的磁場強度大于所述第一側的磁場強度;和
第三狀態,在所述掃描線圈(2)的第三狀態,所述第二側的磁場強度等于所述第一側的磁場強度。
3.如權利要求1或2所述的帶有掃描線圈的離子鍍膜裝置,其特征在于,所述第一線圈(16)和所述第二線圈(17)交替螺旋纏繞,所述第一線圈(16)在所述第一側的線圈匝數大于其位于所述第二側的線圈匝數,所述第二線圈(17)在所述第一側的線圈匝數小于其位于所述第二側的線圈匝數,所述第一線圈(16)和所述第二線圈(17)在所述第一側的線圈匝數之和等于所述第一線圈(16)和所述第二線圈(17)在所述第二側的線圈匝數之和。
4.如權利要求3所述的帶有掃描線圈的離子鍍膜裝置,其特征在于,所述第一線圈(16)包括位于所述第一側的兩匝線圈和位于所述第二側的一匝線圈,所述第二線圈(17)包括位于所述第一側的一匝線圈和位于所述第二側的兩匝線圈。
5.如權利要求2所述的帶有掃描線圈的離子鍍膜裝置,其特征在于,所述控制器(9)被配置為:
在所述掃描線圈(2)的第一狀態,控制所述第一線圈(16)通入電流,所述第二線圈(17)不通入電流或通入小于所述第一線圈(16)的電流;
在所述掃描線圈(2)的第二狀態,所述第二線圈(17)通入電流,所述第一線圈(16)不通入電流或通入小于所述第二線圈(17)的電流;
在所述掃描線圈(2)的第三狀態,所述第一線圈(16)和所述第二線圈(17)均通入同等大小的電流。
6.如權利要求1所述的帶有掃描線圈的離子鍍膜裝置,其特征在于,所述離子源包括:
真空室(1);
陰極靶(6),位于所述真空室(1)內,用于釋放往所述工件(11)上鍍膜的等離子體;
引弧極(5),位于所述真空室(1)內,位于所述陰極靶(6)周圍,與所述陰極靶(6)之間具有第一電場;
點火器(4),位于所述真空室(1)內,用于點火產生運動至所述陰極靶(6)與所述引弧極(5)之間的等離子體;
陽極(3),位于所述真空室(1)內,設置于所述掃描線圈(2)與所述陰極靶(6)之間,所述陽極(3)內設有允許所述陰極靶(6)所釋放的等離子體通過的通道,所述陽極(3)與所述陰極靶(6)之間具有第二電場。
7.如權利要求6所述的帶有掃描線圈的離子鍍膜裝置,其特征在于,所述陽極(3)為具有矩形通道的矩形陽極,所述陰極靶(6)具有矩形表面,所述矩形通道與所述陰極靶的矩形表面相對。
8.如權利要求6所述的帶有掃描線圈的離子鍍膜裝置,其特征在于,所述點火器(4)包括第一環形石墨電極(12)、第二環形石墨電極(14)和位于所述第一環形石墨電極(12)、第二環形石墨電極(14)之間的陶瓷環(13),所述陶瓷環(13)的內圈上設有石墨,所述引弧極(5)為第三環形石墨電極,所述第一環形石墨電極(12)、所述陶瓷環(13)的內圈、所述第二環形石墨電極(14)和所述第三環形石墨電極同軸,所述陰極靶(6)為石墨陰極,所述陰極靶(6)位于所述第三環形石墨電極的內圈中。
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