[發明專利]SiC晶錠的加工方法和激光加工裝置

在審

• 申請號: 202011421013.8
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN113042915A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 平田和也
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B23K26/53
• 分類號: B23K26/53;B23K26/06;B23K26/03;B23K26/064;B23K26/08;B24B7/16;B24B7/22;B24B27/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 沈娥;龐東成

本發明提供SiC晶錠的加工方法和激光加工裝置，該SiC晶錠的加工方法能夠在SiC晶錠中形成適當的剝離帶。SiC晶錠的加工方法包括下述工序：電阻值測量工序，測量SiC晶錠的端面的電阻值；激光光線輸出調整工序，與利用電阻值測量工序測量的電阻值相對應地調整激光光線的輸出；以及剝離帶形成工序，將具有對于SiC晶錠來說為透過性的波長的激光光線的聚光點定位在與要生成的晶片的厚度對應的深度，一邊對SiC晶錠照射激光光線一邊使SiC晶錠和聚光點沿X軸方向相對地進行加工進給，在SiC晶錠的內部形成帶狀的剝離帶。

技術領域

本發明涉及SiC晶錠的加工方法和激光加工裝置。

背景技術

IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)、Al₂O₃(藍寶石)等作為原材料的晶片的表面上層疊功能層并通過交叉的多條分割預定線對該功能層進行劃分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以SiC(碳化硅)為原材料的晶片的表面上層疊功能層并通過交叉的多條分割預定線對該功能層進行劃分而形成的。形成了器件的晶片通過切削裝置、激光加工裝置對分割預定線實施加工而分割成各個器件芯片，分割出的各器件芯片被用于移動電話、個人電腦等電氣設備中。

形成有器件的晶片通常是利用線切割機將圓柱形狀的晶錠薄薄地切斷而生成的。通過對切斷的晶片的表面和背面進行研磨而精加工成鏡面(例如參見專利文獻1)。但是，在將晶錠利用線切割機切斷并對切斷的晶片的表面和背面進行研磨時，晶錠的大部分(70～80％)被舍棄，存在不經濟的問題。特別是SiC晶錠的硬度高，難以利用線切割機切斷，需要花費相當長的時間，因此生產率差，并且晶錠的單價高，在有效地生成晶片方面存在課題。

因此，本申請人提出了下述技術：將具有對于SiC來說為透過性的波長的激光光線的聚光點定位在SiC晶錠的內部，對SiC晶錠照射激光光線，在切斷預定面上形成剝離帶，并沿著形成了剝離帶的切斷預定面從SiC晶錠剝離晶片(例如參見專利文獻2)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2000-94221號公報

專利文獻2：日本特開2016-111143號公報

發明內容

發明所要解決的課題

在SiC晶錠的成長過程中控制氮原子(N)的摻雜量，使SiC晶錠的電阻值落在容許值的范圍內。但是，即使為容許值的范圍內，SiC晶錠的電阻值也存在偏差。并且，在對SiC晶錠照射激光光線而形成剝離帶時，存在會由于SiC晶錠的電阻值的偏差而無法形成適當的剝離帶的問題。

因此，本發明的目的在于提供能夠在SiC晶錠中形成適當的剝離帶的SiC晶錠的加工方法和激光加工裝置。

用于解決課題的手段

根據本發明的一個方式，提供一種SiC晶錠的加工方法，其是具有端面的SiC晶錠的加工方法，其具備下述工序：電阻值測量工序，測量SiC晶錠的該端面的電阻值；激光光線輸出調整工序，與利用該電阻值測量工序測量的電阻值相對應地調整激光光線的輸出；剝離帶形成工序，將與c面相對于SiC晶錠的該端面傾斜而由SiC晶錠的該端面和該c面形成偏離角的方向垂直的方向作為X軸方向，將與該X軸方向垂直的方向作為Y軸方向，將具有對于SiC晶錠來說為透過性的波長的激光光線的聚光點定位在與要生成的晶片的厚度對應的深度，一邊對SiC晶錠照射激光光線一邊使SiC晶錠和該聚光點沿該X軸方向相對地進行加工進給，形成裂紋從SiC分離成Si和C的部分起沿著該c面延伸的帶狀的剝離帶；以及分度進給工序，使SiC晶錠和該聚光點沿該Y軸方向相對地進行分度進給，使剝離帶沿該Y軸方向并排設置。

優選實施平坦面形成工序，在該剝離帶形成工序之前對SiC晶錠的端面進行磨削而使該端面形成為平坦面。