[發明專利]SiC晶錠的加工方法和激光加工裝置

在審

• 申請號: 202011421013.8
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN113042915A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 平田和也
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B23K26/53
• 分類號: B23K26/53;B23K26/06;B23K26/03;B23K26/064;B23K26/08;B24B7/16;B24B7/22;B24B27/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 沈娥;龐東成

1.一種SiC晶錠的加工方法，其是具有端面的SiC晶錠的加工方法，其具備下述工序：

電阻值測量工序，測量SiC晶錠的該端面的電阻值；

激光光線輸出調整工序，與利用該電阻值測量工序測量的電阻值相對應地調整激光光線的輸出；

剝離帶形成工序，將與c面相對于SiC晶錠的該端面傾斜而由SiC晶錠的該端面和該c面形成偏離角的方向垂直的方向作為X軸方向，將與該X軸方向垂直的方向作為Y軸方向，將具有對于SiC晶錠來說為透過性的波長的激光光線的聚光點定位在與要生成的晶片的厚度對應的深度，一邊對SiC晶錠照射激光光線一邊使SiC晶錠和該聚光點沿該X軸方向相對地進行加工進給，形成裂紋從SiC分離成Si和C的部分起沿著該c面延伸的帶狀的剝離帶；以及

分度進給工序，使SiC晶錠和該聚光點沿該Y軸方向相對地進行分度進給，使剝離帶沿該Y軸方向并排設置。

2.如權利要求1所述的SiC晶錠的加工方法，其進一步具備平坦面形成工序，在該剝離帶形成工序之前對SiC晶錠的該端面進行磨削而使該端面形成為平坦面。

3.一種激光加工裝置，其是在SiC晶錠中形成剝離帶的激光加工裝置，該激光加工裝置具備：

保持工作臺，其保持SiC晶錠；

激光光線照射單元，其包含聚光器，將與c面相對于該保持工作臺所保持的SiC晶錠的端面傾斜而由SiC晶錠的該端面和該c面形成偏離角的方向垂直的方向作為X軸方向，將與該X軸方向垂直的方向作為Y軸方向，該聚光器將具有對于SiC晶錠來說為透過性的波長的激光光線的聚光點定位在與要生成的晶片的厚度對應的深度而對SiC晶錠照射激光光線，形成裂紋從SiC分離成Si和C的部分起沿著該c面延伸的帶狀的剝離帶；

X軸進給機構，其使該保持工作臺和該聚光器沿該X軸方向相對地進行加工進給；

Y軸進給機構，其使該保持工作臺和該聚光器沿該Y軸方向相對地進行分度進給；以及

電阻值測量器，其對SiC晶錠的該端面的電阻值進行測量。

4.如權利要求3所述的激光加工裝置，其進一步具備控制單元，該控制單元與該電阻值測量器所測量的電阻值相對應地調整激光光線的輸出。