[發明專利]IO器件柵氧制造方法、終端和存儲介質有效
| 申請號： | 202011420133.6 | 申請日： | 2020-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN112635313B | 公開（公告）日： | 2023-03-24 |
| 發明（設計）人： | 周年云;顧嘉威;劉俊文 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | io 器件 制造 方法 終端 存儲 介質 | ||
【權利要求書】：
1.一種IO器件柵氧制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1，提供一硅襯底；
S2，在硅襯底上形成氧化硅層，在氧化硅層上形成氮化硅層，然后刻蝕形成淺溝槽，并填充氧化硅；
S3，表面平坦化；
S4，對有源區邊緣進行氧化；
S5，刻蝕去除氮化硅；
S6，刻蝕去除硅襯底上的氧化硅層；
S7，生長柵氧。
2.如權利要求1所述的IO器件柵氧制造方法，其特征在于：步驟S3中，通過CMP工藝進行平坦化。
3.如權利要求1所述的IO器件柵氧制造方法，其特征在于：步驟S5中，通過濕法刻蝕去除氮化硅。
4.如權利要求1所述的IO器件柵氧制造方法，其特征在于：步驟S6中，通過濕法刻蝕去除硅襯底上的氧化硅層。
5.如權利要求1所述的IO器件柵氧制造方法，其特征在于：步驟S4和步驟S7使用不同的爐管氧化。
6.如權利要求1-5任意一項所述的IO器件柵氧制造方法，其特征在于：所述IO器件包括但不限于55nm邏輯平臺器件。
7.如權利要求1-5任意一項所述的IO器件柵氧制造方法，其特征在于：所述IO器件為大于等于5V的IO器件。
8.一種終端設備，其特征在于：其用于執行權利要求1-5任意一項所述IO器件柵氧制造方法。
9.一種計算機可讀存儲介質，其存儲有計算機程序，其特征在于：所述計算機程序被處理器執行時，實現權利要求1-5任意一項所述IO器件柵氧制造方法中的步驟。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
