[發明專利]一種可量產氮化鎵的全立式HPVE設備

有效

• 申請號: 202011419640.8
• 申請日: 2020-12-06
• 公開（公告）號: CN113186511B
• 公開（公告）日: 2022-12-13
• 發明（設計）人: 馬君健;王曉瑩;徐宏;吳振華;周德金;鐘磊
• 申請（專利權）人: 無錫英諾賽思科技有限公司;清華大學無錫應用技術研究院;江南大學
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34;C23C16/448;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/46
• 代理公司: 北京智宇正信知識產權代理事務所(普通合伙) 11876
• 代理人: 于理科

本發明公開了一種可量產氮化鎵的全立式HPVE設備，具體涉及氮化鎵生產技術領域，包括支腿和外殼體，所述外殼體底端的四個拐角處固定連接有支腿，所述外殼體的內部設置有內殼體，所述外殼體一端四個拐角處的內部設置有卡槽，所述外殼體的一端設置有蓋板，所述蓋板一端的四個拐角處固定連接有圓塊，所述蓋板的另一端固定連接有把手，所述外殼體的內壁固定連接有電熱絲。本發明通過設置有固定柱、套筒、凸塊、軸套、放置板和放置槽，將鎵源放進放置槽中，因放置槽設置有若干個，放置板為圓形，可放置多個鎵源，利用放置槽中設置有加熱片，可對鎵源進行加熱，在反應結束后，可利用凸塊將套接在固定柱上的套筒取下，使其便于拿取更換新的鎵源。

技術領域

本發明涉及氮化鎵生產技術領域，具體為一種可量產氮化鎵的全立式HPVE設備。

背景技術

氮化鎵是一種半導體材料，可用于發光二級管、探測器中，在制備氮化鎵時，需要通過HPVE設備進行生產，現有的HPVE設備在設計上仍有一些問題，導致在使用時不便，因此我們需要對一種可量產氮化鎵的全立式HPVE設備進行改進。

在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術中至少存在如下問題沒有得到解決：

（1）傳統的可量產氮化鎵的全立式HPVE設備鎵源的放置空間較少，影響產量，且不便于拿取；

（2）傳統的可量產氮化鎵的全立式HPVE設備沒有設置保溫的功能，導致內部熱量流失較快，無法保溫；

（3）傳統的可量產氮化鎵的全立式HPVE設備內部空間較小，量產較少，工作效率較低；

（4）傳統的可量產氮化鎵的全立式HPVE設備氣體散發不夠均勻，影響鎵源的生長效果；

（5）傳統的可量產氮化鎵的全立式HPVE設備襯底受熱不夠均勻，影響鎵源的生長。

發明內容

本發明的目的在于提供一種可量產氮化鎵的全立式HPVE設備，以解決上述背景技術中提出鎵源的放置空間較少，影響產量，且不便于拿取的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種可量產氮化鎵的全立式HPVE設備，包括支腿和外殼體，所述外殼體底端的四個拐角處固定連接有支腿，所述外殼體的內部設置有內殼體，所述外殼體一端四個拐角處的內部設置有卡槽，所述外殼體的一端設置有蓋板，所述蓋板一端的四個拐角處固定連接有圓塊，所述蓋板的另一端固定連接有把手，所述外殼體的內壁固定連接有電熱絲，所述外殼體和內殼體的內部設置有保溫結構，所述內殼體的內部設置有輔助旋轉結構，所述外殼體的頂端設置有第一氣室，所述第一氣室的底端設置有出氣管，所述第一氣室的頂端設置有第二氣室，所述第二氣室的頂端設置有生長室，所述生長室的一側設置有進氣口，所述生長室的頂端活動連接有密封蓋，所述生長室與第二氣室的內部之間設置有連接口，所述第二氣室與第一氣室的內部之間設置有輔助均勻結構，所述生長室的內部設置有便于拿取結構；

所述便于拿取結構包括固定柱，所述固定柱的底端與生長室內部的底端固定連接，所述固定柱的外部設置有套筒，所述套筒的頂端固定連接有凸塊，所述套筒的外部固定連接有軸套，所述軸套的外部固定連接有放置板，所述放置板頂端的內部設置有放置槽。

優選的，所述保溫結構由預留槽、安置槽、巖棉和卡塊組成，所述安置槽設置在內殼體和支腿的內部之間，所述安置槽的內部設置有巖棉，所述巖棉的一端設置有卡塊，所述卡塊的一端設置有預留槽，所述卡塊的底端與內殼體的外部分別固定連接。

優選的，所述預留槽嵌在支腿一端的內部，所述卡塊的一端嵌在預留槽的內部，所述巖棉包裹在內殼體的外壁。

優選的，所述第一氣室設置有兩組，所述第一氣室的大小相同，所述第一氣室關于外殼體的中心線呈對稱分布，所述出氣管與內殼體的內部相連通。