[發明專利]一種多形貌納米氧化鋅的制備方法

在審

• 申請號: 202011416972.0
• 申請日: 2020-12-07
• 公開（公告）號: CN112320834A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 謝世琛;崔大祥;朱君;徐艷;楊迪誠
• 申請（專利權）人: 上海納米技術及應用國家工程研究中心有限公司
• 主分類號: C01G9/02
• 分類號: C01G9/02
• 代理公司: 上海東亞專利商標代理有限公司 31208
• 代理人: 董梅

1.一種用于制備多形貌納米氧化鋅的芯片，其特征在于，所述的芯片采用基片制備，設有反應物的物料層和氣體層，所述的物料層設有反應物的入口通道、生成物的出口通道；所述的氣體層設有二氧化碳氣體的通道，通道部分采用透氣、不透水的薄膜分隔，得到具有微通道的芯片，使反應在通道內進行，利用微通道芯片為反應容器制備多形貌的納米氧化鋅。

2.根據權利要求1所述的用于制備多形貌納米氧化鋅的芯片，其特征在于芯片通道直徑為1毫米的管狀結構。

3.根據權利要求1或2所述的用于制備多形貌納米氧化鋅的芯片，其特征在于，所述的芯片由上下兩層組成，上層是氣體層，下層物料層，上層設有氣體注入口，下層反應物注入口和生成物出口，上、下兩層的通道的大小、形狀、結構完全一致，位置對應，上、下二層部分連接，通道部分采用透氣、不透水的薄膜分隔，其他部分用膠水緊密相連且不漏氣、不漏液。

4.根據權利要求3所述的用于制備多形貌納米氧化鋅的芯片，其特征在于，芯片的各層為長方體，其長、寬、厚度分別為5厘米、3厘米和2毫米。

5.根據權利要求3所述的用于制備多形貌納米氧化鋅的芯片，其特征在于，芯片的各層采用基片，所述的基片為聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚二甲基硅氧烷（PDMS）、聚碳酸酯（PC）、玻璃、硅片的一種或幾種；芯片中的透氣、不透水的薄膜為聚四氟乙烯（PTFE）薄膜、硅膠薄膜、聚酯薄膜（PET）薄膜的一種或幾種。

6.根據權利要求3所述的用于制備多形貌納米氧化鋅的芯片，其特征在于，芯片上層的氣體注入口為圓形，直徑為2毫米，高度為1厘米；芯片下層的反應物注入口和生成物出口為圓形，直徑為2毫米，高度為1厘米。

7.一種根據權利要求1至6所述的用于制備多形貌納米氧化鋅的芯片制備方法，其特征在于，芯片的制作包括以下步驟：

（1）用計算機輔助設計軟件設計和繪制芯片中各層的微結構和微通道圖形，通過微加工技術在各層芯片基材表面加工；

（2）利用粘性薄膜，將制備的各層芯片對齊、粘合、加壓和鍵合，組成最終的中間有透氣、不透水的薄膜分隔的層狀結構芯片。

8.一種利用權利要求1至6任一項所述芯片制備的多形貌納米氧化鋅方法，其特征在于：包括如下步驟：

將初級氧化鋅分散于水中，配置質量濃度為1-10%的分散液，將此分散液和質量濃度為1-5%的鹽溶液同時由注射泵注入反應物注入口，調節推進注射泵的流量，使得反應物在芯片中有足夠的停留時間，同時，在氣體注入口中通入二氧化碳氣體，保持二氧化碳流速為10-20m/s，使得二氧化碳透過隔離薄膜與氧化鋅溶液充分反應，在生成物出口收集產物，分離、烘干后，600℃煅燒，得到多種形貌的納米氧化鋅。

9.根據權利要求8所述的制備的多形貌納米氧化鋅方法，其特征在于：所述的鹽溶液為氯化鈉、氯化鉀、硫酸鉀、硫酸鈉、硝酸鈉的一種或幾種。

10.根據權利要求6所述的制備的多形貌納米氧化鋅方法，其特征在于：注射泵的推進速度0.1 ml/h-0.3 ml/h。