[發(fā)明專利]一種多形貌納米氧化鋅的制備方法

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• 申請日: 2020-12-07
• 公開（公告）號: CN112320834A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝世琛;崔大祥;朱君;徐艷;楊迪誠
• 申請（專利權(quán)）人: 上海納米技術(shù)及應(yīng)用國家工程研究中心有限公司
• 主分類號: C01G9/02
• 分類號: C01G9/02
• 代理公司: 上海東亞專利商標代理有限公司 31208
• 代理人: 董梅

本發(fā)明提供了一種多形貌納米氧化鋅的制備方法，主要目的在于開發(fā)一種反應(yīng)的芯片，提供反應(yīng)的介質(zhì)制備具有微納結(jié)構(gòu)的納米氧化鋅材料。該芯片通過設(shè)計反應(yīng)物的入口通道和生成物的出口通道，同時設(shè)計二氧化碳氣體的通道，使得反應(yīng)在通道內(nèi)進行，通過調(diào)節(jié)反應(yīng)條件，最終制備得到多種形貌的納米氧化鋅。其優(yōu)點在于本發(fā)明制備的芯片能作為反應(yīng)介質(zhì)，設(shè)備簡單、試劑量小、便于收集；本發(fā)明制備的芯片可以通過簡單改變反應(yīng)條件，可以制備多種形貌的納米氧化鋅；本發(fā)明制備的芯片靈敏度高、穩(wěn)定性好、可產(chǎn)業(yè)化，在微量納米材料制備方面具有廣泛的應(yīng)用前景。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種多形貌納米氧化鋅的其制備方法，具體涉及利用微通道芯片為反應(yīng)容器制備多形貌的納米氧化鋅。

背景技術(shù)

納米材料的生物安全性包括：納米材料與生物系統(tǒng)相互作用的基本方面；納米材料在生物體內(nèi)的吸收和分布及其在真核細胞中的內(nèi)在化機理；納米材料到達細胞內(nèi)環(huán)境后的運輸和可能的去向；納米材料與生物系統(tǒng)相互作用后的潛在毒理學(xué)方面等。例如，納米顆粒與高級生物的相互作用始于通過吸入、攝入或皮膚暴露吸收了納米材料，一旦納米顆粒被生物體吸收，其與蛋白質(zhì)和其他生物分子的相互作用就會在細胞外液中發(fā)生。納米粒子到達血液系統(tǒng)后，不同的生物分子之間開始競爭，并吸附在納米粒子的表面上。在血液系統(tǒng)中，對血漿蛋白的吸收（在納米顆粒周圍形成，稱為“蛋白質(zhì)電暈”）可調(diào)節(jié)靶向藥物輸送，高親和力的蛋白質(zhì)形成“硬”電暈，由不易解吸附的緊密結(jié)合的蛋白質(zhì)組成，低親和力的蛋白質(zhì)形成“軟”電暈，由結(jié)合較差的蛋白質(zhì)組成。

納米材料的安全性隨著納米材料的尺寸和形貌的變化而發(fā)生變化。如在半導(dǎo)體材料中由于電子躍遷，產(chǎn)生于塊體材料不同的特性；金納米顆?？梢猿尸F(xiàn)plasmon效應(yīng)，在拉曼增強領(lǐng)域應(yīng)用廣泛；過渡金屬顆粒，隨著尺寸的減小，顆粒的比表面積增大，在催化領(lǐng)域大有作為。

因此，合成不同尺寸，不同形貌的納米材料，已經(jīng)成為納米領(lǐng)域的研究熱點。如何能采用一種方法，通過簡單的反應(yīng)條件變化獲得多種形貌的納米材料成為研究的難點。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的在于提供一種用于制備多形貌納米氧化鋅的芯片。

本發(fā)明的再一目的在于提供采用上述芯片制備方法。

本發(fā)明的又一目的在于提供利用上述微通道芯片為反應(yīng)容器制備芯片制備多形貌納米氧化鋅的方法。

本發(fā)明目的通過下述方案實現(xiàn)：

一種用于制備多形貌納米氧化鋅的芯片，所述的芯片采用基片制備，設(shè)有反應(yīng)物的物料層和氣體層，所述的物料層設(shè)有反應(yīng)物的入口通道、生成物的出口通道；所述的氣體層設(shè)有二氧化碳氣體的通道，通道部分采用透氣、不透水的薄膜分隔，得到具有微通道的芯片，使反應(yīng)在通道內(nèi)進行，可利用微通道芯片為反應(yīng)容器制備多形貌的納米氧化鋅。

所述的芯片通道直徑為1毫米的管狀結(jié)構(gòu)。

在上述方案基礎(chǔ)上，所述的芯片由上下兩層組成，上層是氣體層，下層物料層，上層設(shè)有氣體注入口，下層反應(yīng)物注入口和生成物出口，上、下兩層的通道的大小、形狀、結(jié)構(gòu)完全一致，位置對應(yīng)，上、下二層部分連接，通道部分采用透氣、不透水的薄膜分隔，其他部分用膠水緊密相連且不漏氣、不漏液。

進一步的，芯片的各層為長方體，其長、寬、厚度分別為5厘米、3厘米和2毫米。

進一步的，芯片的各層采用基片，所述的基片為聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚二甲基硅氧烷（PDMS）、聚碳酸酯（PC）、玻璃、硅片的一種或幾種；芯片中的透氣、不透水的薄膜為聚四氟乙烯（PTFE）薄膜、硅膠薄膜、聚酯薄膜（PET）薄膜的一種或幾種。

進一步的，芯片上層的氣體注入口為圓形，直徑為2毫米，高度為1厘米；芯片下層的反應(yīng)物注入口和生成物出口為圓形，直徑為2毫米，高度為1厘米。

本發(fā)明提供了一種用于制備多形貌納米氧化鋅的芯片制備方法，其特征在于，包括以下步驟：