[發(fā)明專利]一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011416545.2
• 申請日: 2020-12-04
• 公開（公告）號: CN112542433B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王全龍;曹立強(qiáng);王國軍;戴風(fēng)偉
• 申請（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/473;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 馬吉蘭

本發(fā)明提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，芯片封裝結(jié)構(gòu)包括：第一基片，所述第一基片具有第一表面，所述第一基片中具有容納槽，所述容納槽朝向第一表面；位于所述容納槽中的芯片填充件，所述芯片填充件的側(cè)壁與所述容納槽的側(cè)壁之間的間隔區(qū)域?yàn)榈谝晃⒘鞯馈０研酒畛浼糜谌菁{槽中，芯片填充件的側(cè)壁可以通過第一微流道進(jìn)行散熱，芯片四周散熱效果較好，提高了芯片的可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)品多功能化和小型化的發(fā)展，高密度微電子組裝技術(shù)在新 一代電子產(chǎn)品上逐漸成為主流，在工業(yè)技術(shù)水平的發(fā)展下，人們對于電子 元件的散熱性能也提出了更為嚴(yán)格的要求。在芯片領(lǐng)域，芯片尺寸的不斷 減小，芯片集成度的不斷提高，封裝密度也越來越高，使得單位體積芯片 的功耗急劇增大，芯片的溫度急劇升高，導(dǎo)致芯片的可靠性降低，影響芯 片的正常工作，芯片的散熱問題已經(jīng)成為電子設(shè)備正常運(yùn)行的關(guān)鍵要素， 而微流道散熱是非常有效的解決方案。

現(xiàn)有技術(shù)中芯片封裝結(jié)構(gòu)的散熱能力較差。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中芯片微流道散熱 效果較差的問題，從而提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。

本發(fā)明提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：第一基片，所述第一基片具有 第一表面，所述第一基片中具有容納槽，所述容納槽朝向第一表面；位于 所述容納槽中的芯片填充件，所述芯片填充件的側(cè)壁與所述容納槽的側(cè)壁 之間的間隔區(qū)域?yàn)榈谝晃⒘鞯馈?/p>

可選的，還包括：支撐件，所述支撐件位于所述容納槽中且位于所述 芯片填充件背向第一表面的一側(cè)；位于所述支撐件的側(cè)部且位于所述芯片 填充件與所述容納槽的底面之間的間隔區(qū)域?yàn)榈诙⒘鞯溃龅诙⒘?道與所述第一微流道貫通。

可選的，所述第一基片中還具有第三微流道，且所述第三微流道位于 所述第二微流道背向所述芯片填充件的一側(cè)；所述芯片填充件中具有延伸 在部分厚度的芯片填充件中的第四微流道；所述第二微流道分別與第三微 流道和所述第四微流道連通。

可選的，所述芯片填充件包括芯片本體和位于芯片本體背向所述第一 表面一側(cè)的填充基片；所述第四微流道位于所述填充基片中且與所述芯片 本體間隔；所述支撐件與所述填充基片接觸。

可選的，還包括：位于所述芯片本體和所述填充基片之間的散熱層； 所述第四微流道位于所述填充基片中且與所述散熱層間隔，或者所述第四 微流道位于所述填充基片中且延伸至散熱層背向所述芯片本體一側(cè)的表 面。

可選的，所述散熱層的材料包括銀漿、導(dǎo)熱硅脂或石墨。

可選的，所述芯片填充件僅包括芯片本體；所述支撐件與所述芯片本 體的背面接觸；所述芯片本體包括芯片襯底和芯片器件層，所述芯片襯底 背向所述芯片器件層的表面為芯片本體的背面；所述第四微流道位于所述 芯片襯底中且與所述芯片器件層間隔。

可選的，所述芯片填充件包括芯片本體；所述芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括： 朝向所述第一表面且與所述芯片本體電學(xué)連接的第一互連結(jié)構(gòu)；轉(zhuǎn)接板， 所述轉(zhuǎn)接板位于所述第一互連結(jié)構(gòu)背向所述第一基片的一側(cè)表面；貫穿所 述轉(zhuǎn)接板的第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞通過所述第一互連結(jié)構(gòu)與所 述芯片本體電學(xué)連接。

可選的，還包括：若干個(gè)子封裝結(jié)構(gòu)，每個(gè)子封裝結(jié)構(gòu)均包括第一基 片、芯片填充件、轉(zhuǎn)接板、第一互連結(jié)構(gòu)、第一導(dǎo)電插塞和第一微流道； 若干個(gè)子封裝結(jié)構(gòu)上下鍵合在一起，對于位于相鄰的兩個(gè)第一基板之間的 轉(zhuǎn)接板，所述轉(zhuǎn)接板的上表面和下表面均與第一基片鍵合。

可選的，每個(gè)子封裝結(jié)構(gòu)中的芯片填充件在垂直于若干子封裝結(jié)構(gòu)堆 疊的水平方向上相互錯(cuò)位。