[發明專利]一種芯片封裝結構及封裝方法

有效

• 申請號: 202011416545.2
• 申請日: 2020-12-04
• 公開（公告）號: CN112542433B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 王全龍;曹立強;王國軍;戴風偉
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/473;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 馬吉蘭

1.一種芯片封裝結構，其特征在于，包括：

第一基片，所述第一基片具有第一表面，所述第一基片中具有容納槽，所述容納槽朝向第一表面；

位于所述容納槽中的芯片填充件，所述芯片填充件的側壁與所述容納槽的側壁之間的間隔區域為第一微流道；

支撐件，所述支撐件位于所述容納槽中且位于所述芯片填充件背向第一表面的一側；位于所述支撐件的側部且位于所述芯片填充件與所述容納槽的底面之間的間隔區域為第二微流道，所述第二微流道與所述第一微流道貫通。

2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一基片中還具有第三微流道，且所述第三微流道位于所述第二微流道背向所述芯片填充件的一側；

所述芯片填充件中具有延伸在部分厚度的芯片填充件中的第四微流道；

所述第二微流道分別與第三微流道和所述第四微流道連通。

3.根據權利要求2所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片填充件包括芯片本體和位于芯片本體背向所述第一表面一側的填充基片；

所述第四微流道位于所述填充基片中且與所述芯片本體間隔；

所述支撐件與所述填充基片接觸。

4.根據權利要求3所述的芯片封裝結構，其特征在于，還包括：

位于所述芯片本體和所述填充基片之間的散熱層；

所述第四微流道位于所述填充基片中且與所述散熱層間隔，或者所述第四微流道位于所述填充基片中且延伸至散熱層背向所述芯片本體一側的表面。

5.根據權利要求4所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述散熱層的材料包括銀漿、導熱硅脂或石墨。

6.根據權利要求2所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片填充件僅包括芯片本體；

所述支撐件與所述芯片本體的背面接觸；

所述芯片本體包括芯片襯底和芯片器件層，所述芯片襯底背向所述芯片器件層的表面為芯片本體的背面；

所述第四微流道位于所述芯片襯底中且與所述芯片器件層間隔。

7.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片填充件包括芯片本體；

所述芯片封裝結構還包括：

朝向所述第一表面且與所述芯片本體電學連接的第一互連結構；

轉接板，所述轉接板位于所述第一互連結構背向所述第一基片的一側表面；

貫穿所述轉接板的第一導電插塞，所述第一導電插塞通過所述第一互連結構與所述芯片本體電學連接。

8.根據權利要求7所述的芯片封裝結構，其特征在于，還包括：

若干個子封裝結構，每個子封裝結構均包括第一基片、芯片填充件、轉接板、第一互連結構、第一導電插塞和第一微流道；若干個子封裝結構上下鍵合在一起，對于位于相鄰的兩個第一基板之間的轉接板，所述轉接板的上表面和下表面均與第一基片鍵合。

9.根據權利要求8所述的芯片封裝結構，其特征在于，每個子封裝結構中的芯片填充件在垂直于若干子封裝結構堆疊的水平方向上相互錯位。

10.根據權利要求7-9任一項所述的芯片封裝結構，其特征在于，第一互連結構包括：第一絕緣層和位于第一絕緣層中的第一導電結構；所述導電插塞通過第一導電結構與所述芯片本體電學連接；

所述芯片封裝結構還包括：位于所述第一絕緣層中的密封件，密封件與所述芯片本體朝向所述第一互連結構的表面的邊緣區域接觸，所述密封件與所述第一導電結構間隔。