[發明專利]電路仿真方法、裝置、存儲介質及電子設備

在審

• 申請號: 202011413264.1
• 申請日: 2020-12-03
• 公開（公告）號: CN112464597A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 李森生
• 申請（專利權）人: 成都海光微電子技術有限公司
• 主分類號: G06F30/3308
• 分類號: G06F30/3308
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 鐘揚飛

本申請提供一種電路仿真方法、裝置、存儲介質及電子設備。該方法，包括：獲取目標電路的模型參數的初始值以及電路參數目標值；根據所述模型參數的初始值設置第一模型參數值以及第二模型參數值，第一模型參數值大于所述初始值，第二模型參數值小于所述初始值；分別根據所述初始值、第一模型參數值以及第二模型參數值進行仿真，得到對應的初始電路參數值、第一電路參數值以及第二電路參數值；根據所述初始電路參數值、第一電路參數值以及第二電路參數值確定目標電路參數值對應的目標模型參數值所在的取值區間；在所述取值區間進行多次仿真，以得到與所述目標模型參數值。本申請可以提高效率，降低運算量。

技術領域

本申請涉及集成電路仿真技術領域，特別涉及一種電路仿真方法、裝置、存儲介質及電子設備。

背景技術

目前，為了使制造的芯片性能達到預先設定的產品需求，一般采用的對工藝進行局部調整。目前，通常采用SPICE(Simulation program with integrated circuitemphasis)集成電路模擬程序來進行電路仿真，從而對某些器件進行電性信參數調整。其中，由于工藝特性可由器件電性參數表征。因此，可通過改變SPICE模型中特定電子元件的工藝參數，從而來改變功能器件性能，觀察電路仿真性能參數變化，找到優化的器件參數和工藝參數，從而給出方向指導。但是，這種盲目的調整所需的仿真次數多且效率較低。

發明內容

本申請實施例的目的在于提供一種電路仿真方法、裝置、存儲介質及電子設備，可以減少仿真次數，提高仿真效率。

本申請實施例提供了一種電路仿真方法，包括：

獲取目標電路的模型參數的初始值以及電路參數目標值；

根據所述模型參數的初始值設置第一模型參數值以及第二模型參數值，第一模型參數值大于所述初始值，第二模型參數值小于所述初始值；

分別根據所述初始值、第一模型參數值以及第二模型參數值進行仿真，得到對應的初始電路參數值、第一電路參數值以及第二電路參數值；

根據所述初始電路參數值、第一電路參數值以及第二電路參數值確定目標電路參數值對應的目標模型參數值所在的取值區間；

在所述取值區間進行多次仿真，以得到與所述目標模型參數值。

本申請實施例通過采用先計算出目標模型參數所在的取值區間，然后再對該取值區間進行多次仿真，從而來得到與目標電路參數對應的目標模型參數，可以減小仿真次數，從而提高運算效率。

可選地，在本申請實施例所述的電路仿真方法中，所述根據所述初始電路參數值、第一電路參數值以及第二電路參數值確定目標電路參數值對應的目標模型參數值所在的取值區間，包括：

若所述目標電路參數值位于所述初始電路參數值與所述第一電路參數值之間，則目標電路參數值對應的目標模型參數值位于所述初始值與所述第一模型參數值之間；

若所述目標電路參數值位于所述初始電路參數值與所述第二電路參數值之間，則目標電路參數值對應的目標模型參數值位于所述第二模型參數值與所述初始值之間。

可選地，在本申請實施例所述的電路仿真方法中，所述在所述取值區間進行多次仿真，以得到所述目標模型參數值，包括：

在所述取值區間進行線性插值以得到多個仿真模型參數值，并對所述多個仿真模型參數值進行仿真，以得到所述目標模型參數值。

可選地，在本申請實施例所述的電路仿真方法中，所述在所述取值區間進行線性插值以得到多個仿真模型參數值，并對所述多個仿真模型參數值進行仿真，以得到所述目標模型參數值，包括：

在所述取值區間進行線性插值以得到多個仿真模型參數值；

對所述多個仿真模型參數值進行仿真，以得到多個仿真電路參數值；