[發明專利]電路仿真方法、裝置、存儲介質及電子設備

在審

• 申請號: 202011413264.1
• 申請日: 2020-12-03
• 公開（公告）號: CN112464597A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 李森生
• 申請（專利權）人: 成都海光微電子技術有限公司
• 主分類號: G06F30/3308
• 分類號: G06F30/3308
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 鐘揚飛

1.一種電路仿真方法，其特征在于，包括：

獲取目標電路的模型參數的初始值以及電路參數目標值；

根據所述模型參數的初始值設置第一模型參數值以及第二模型參數值，第一模型參數值大于所述初始值，第二模型參數值小于所述初始值；

分別根據所述初始值、第一模型參數值以及第二模型參數值進行仿真，得到對應的初始電路參數值、第一電路參數值以及第二電路參數值；

根據所述初始電路參數值、第一電路參數值以及第二電路參數值確定目標電路參數值對應的目標模型參數值所在的取值區間；

在所述取值區間進行多次仿真，以得到所述目標模型參數值。

2.根據權利要求1所述的電路仿真方法，其特征在于，所述根據所述初始電路參數值、第一電路參數值以及第二電路參數值確定目標電路參數值對應的目標模型參數值所在的取值區間，包括：

若所述目標電路參數值位于所述初始電路參數值與所述第一電路參數值之間，則目標電路參數值對應的目標模型參數值位于所述初始值與所述第一模型參數值之間；

若所述目標電路參數值位于所述初始電路參數值與所述第二電路參數值之間，則目標電路參數值對應的目標模型參數值位于所述第二模型參數值與所述初始值之間。

3.根據權利要求1所述的電路仿真方法，其特征在于，所述在所述取值區間進行多次仿真，以得到所述目標模型參數值，包括：

在所述取值區間進行線性插值以得到多個仿真模型參數值，并對所述多個仿真模型參數值進行仿真，以得到所述目標模型參數值。

4.根據權利要求3所述的電路仿真方法，其特征在于，所述在所述取值區間進行線性插值以得到多個仿真模型參數值，并對所述多個仿真模型參數值進行仿真，以得到所述目標模型參數值，包括：

在所述取值區間進行線性插值以得到多個仿真模型參數值；

對所述多個仿真模型參數值進行仿真，以得到多個仿真電路參數值；

判斷所述多個仿真電路參數值中是否存在與所述目標電路參數值的差距在預設誤差范圍內的仿真電路參數值；

若存在，則將與所述目標電路參數值的差距在預設誤差范圍內的仿真電路參數值對應的仿真模型參數值作為目標模型參數值；

若不存在，則根據所述目標電路參數值、所述多個仿真電路參數值以及對應的仿真模型參數值生成新取值區間，所述目標模型參數位于所述新取值區間內；

采用所述新取值區間對所述取值區間進行更新，并返回執行所述在所述取值區間進行線性插值以得到多個仿真模型參數值的步驟。

5.根據權利要求4所述的電路仿真方法，其特征在于，所述據所述目標電路參數值、所述多個仿真電路參數值以及對應的仿真模型參數值生成新取值區間，包括：

從所述多個仿真電路參數值中選出小于所述目標電路參數值的仿真電路參數值，并從小于所述目標電路參數值的仿真電路參數值中選出最接近所述目標電路參數的仿真電路參數值作為第一仿真電路參數值；

從所述多個仿真電路參數值中選出大于所述目標電路參數值的仿真電路參數值，并從大于所述目標電路參數值的仿真電路參數值中選出最接近所述目標電路參數的仿真電路參數值作為第二仿真電路參數值；

根據所述第一仿真電路參數值以及所述第二仿真電路參數值對應的仿真模型參數值生成新取值區間。

6.根據權利要求1所述的電路仿真方法，其特征在于，所述電路參數包括第一參數以及第二參數；

所述電路參數目標值滿足預設公式d＝{(ax)²+(by)²}^0.5；其中，a為第一參數的權重系數，b為第二參數的權重系數，x為第一參數的取值，y為第二參數的取值；d為電路參數目標值。