[發明專利]一種ALD反應器

在審

• 申請號: 202011411806.1
• 申請日: 2020-12-03
• 公開（公告）號: CN112458436A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 萬軍;廖海濤;王斌;王輝
• 申請（專利權）人: 無錫市邑晶半導體科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/52;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 劉杰

本發明涉及一種ALD反應器。該反應器包括真空腔室以及反應腔室，反應腔室內置于真空腔室內，反應腔室頂部敞口，反應腔室的底部開設有進氣通道及出氣通道，進氣通道和出氣通道以反應腔室的底部的第一方向的中心線相對設置，封蓋可操作地將反應腔室頂部密封。本發明保證沉積膜的成型質量和一致性，成膜效率高，周期短，提高前驅體源的利用率，適合批量性生產，具有很好的實用價值。

技術領域

本發明涉及半導體納米薄膜沉積技術領域，特別涉及一種ALD反應器。

背景技術

隨著IC復雜程度的不斷提高，按照著名的摩爾定律和國際半導體行業協會公布的國際半導體技術發展路線圖，硅基半導體集成電路中金屬-氧化物-半導體場效應晶體管器件的特征尺寸將達到納米尺度。原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)具有優異的三維共形性、大面積的均勻性和精確的亞單層膜厚控制等特點，受到微電子行業和納米科技領域的青睞。

現有技術中，原子層沉積加工的技術方案為：將基體放置在一個密封的反應器中，再通過將氣相前驅體源交替地通入反應器，以在基體上化學吸附并反應形成沉積膜。

在實現本發明的技術方案中，申請人發現現有技術中至少存在以下不足：

現有技術中將氣相前驅體源交替脈沖地通入反應器的技術方案，難以保證前驅體源對整個基體全面覆蓋，容易形成針孔等缺陷，造成前驅體源與基體接觸不均勻，導致沉積膜的均勻性差，質量難以保證，同時由于反應不全，前驅體源的大量充入，會造成前驅體源大量殘余，成膜效率低，周期長，并且造成前驅體源的浪費。

因此，需對現有技術進行改進。

發明內容

本發明提供一種ALD反應器，解決了或部分解決了現有技術中沉積膜的均勻性差，質量難以保證，且成膜效率低，周期長，造成前驅體源的浪費的技術問題。

本發明的技術方案為：

一種ALD反應器，所述反應器包括：

真空腔室；

反應腔室，所述反應腔室內置于所述真空腔室內，所述反應腔室頂部敞口，所述反應腔室的底部開設有進氣通道及出氣通道，所述進氣通道和所述出氣通道以所述反應腔室的底部的第一方向的中心線相對設置；

封蓋，所述封蓋可操作地將所述反應腔室頂部密封。

可選地，所述進氣通道為孔狀，所述進氣通道設置有多個，多個所述進氣通道設置在所述反應腔室的底部的一側；

所述出氣通道為孔狀，所述出氣通道也設置有多個，多個所述出氣通道設置在所述反應腔室的底部的另一側。

進一步地，所述進氣通道設置有多組，多組所述進氣通道沿第二方向依次設置，每組所述進氣通道均呈弧形，每組所述進氣通道的各個進氣通道的孔徑向靠近所述反應腔室的底部的第一方向的中心線的方向依次減小；

所述出氣通道設置有多組，多組所述出氣通道沿第二方向依次設置，每組所述出氣通道均呈弧形，每組所述出氣通道的各個進氣通道的孔徑向靠近所述反應腔室的底部的第一方向的中心線的方向依次減小。

可選地，所述進氣通道為條狀，所述進氣通道設置有多個，多個所述進氣通道設置在所述反應腔室的底部的一側；

所述出氣通道為條狀，所述出氣通道也設置有多個，多個所述出氣通道設置在所述反應腔室的底部的另一側。

進一步地，所述進氣通道的第二方向的尺寸向靠近所述反應腔室的底部的第一方向的中心線的方向依次減小；

所述出氣通道的第二方向的尺寸向靠近所述反應腔室的底部的第一方向的中心線的方向依次減小。