[發(fā)明專(zhuān)利]一種ALD反應(yīng)器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011411806.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112458436A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 萬(wàn)軍;廖海濤;王斌;王輝 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 無(wú)錫市邑晶半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C16/455 | 分類(lèi)號(hào): | C23C16/455;C23C16/52;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京眾達(dá)德權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11570 | 代理人: | 劉杰 |
| 地址: | 214028 江蘇省無(wú)錫市新*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 ald 反應(yīng)器 | ||
1.一種ALD反應(yīng)器,其特征在于,所述反應(yīng)器包括:
真空腔室;
反應(yīng)腔室,所述反應(yīng)腔室內(nèi)置于所述真空腔室內(nèi),所述反應(yīng)腔室頂部敞口,所述反應(yīng)腔室的底部開(kāi)設(shè)有進(jìn)氣通道及出氣通道,所述進(jìn)氣通道和所述出氣通道以所述反應(yīng)腔室的底部的第一方向的中心線(xiàn)相對(duì)設(shè)置;
封蓋,所述封蓋可操作地將所述反應(yīng)腔室頂部密封。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ALD反應(yīng)器,其特征在于:所述進(jìn)氣通道為孔狀,所述進(jìn)氣通道設(shè)置有多個(gè),多個(gè)所述進(jìn)氣通道設(shè)置在所述反應(yīng)腔室的底部的一側(cè);
所述出氣通道為孔狀,所述出氣通道也設(shè)置有多個(gè),多個(gè)所述出氣通道設(shè)置在所述反應(yīng)腔室的底部的另一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ALD反應(yīng)器,其特征在于:所述進(jìn)氣通道設(shè)置有多組,多組所述進(jìn)氣通道沿第二方向依次設(shè)置,每組所述進(jìn)氣通道均呈弧形,每組所述進(jìn)氣通道的各個(gè)進(jìn)氣通道的孔徑向靠近所述反應(yīng)腔室的底部的第一方向的中心線(xiàn)的方向依次減小;
所述出氣通道設(shè)置有多組,多組所述出氣通道沿第二方向依次設(shè)置,每組所述出氣通道均呈弧形,每組所述出氣通道的各個(gè)進(jìn)氣通道的孔徑向靠近所述反應(yīng)腔室的底部的第一方向的中心線(xiàn)的方向依次減小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ALD反應(yīng)器,其特征在于,所述進(jìn)氣通道為條狀,所述進(jìn)氣通道設(shè)置有多個(gè),多個(gè)所述進(jìn)氣通道設(shè)置在所述反應(yīng)腔室的底部的一側(cè);
所述出氣通道為條狀,所述出氣通道也設(shè)置有多個(gè),多個(gè)所述出氣通道設(shè)置在所述反應(yīng)腔室的底部的另一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ALD反應(yīng)器,其特征在于,所述進(jìn)氣通道的第二方向的尺寸向靠近所述反應(yīng)腔室的底部的第一方向的中心線(xiàn)的方向依次減小;
所述出氣通道的第二方向的尺寸向靠近所述反應(yīng)腔室的底部的第一方向的中心線(xiàn)的方向依次減小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ALD反應(yīng)器,其特征在于,所述反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)勻氣板,兩個(gè)所述勻氣板以所述反應(yīng)腔室的底部的第一方向的中心線(xiàn)相對(duì)設(shè)置,兩個(gè)所述勻氣板設(shè)置在所述進(jìn)氣通道及出氣通道之間,兩個(gè)所述勻氣板將所述反應(yīng)腔室沿第二方向分割成進(jìn)氣腔室、反應(yīng)腔室以及出氣腔室,每個(gè)所述勻氣板上均設(shè)置多個(gè)通孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ALD反應(yīng)器,其特征在于,所述反應(yīng)腔室的底部固定設(shè)置有中轉(zhuǎn)腔室,所述中轉(zhuǎn)腔室的頂部敞口,所述反應(yīng)腔室的底部覆蓋在所述中轉(zhuǎn)腔室的頂部上,所述中轉(zhuǎn)腔室內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)隔板,兩個(gè)所述隔板將所述中轉(zhuǎn)腔室沿第二方向分割成第一腔室、第二腔室以及第三腔室,所述進(jìn)氣通道和所述第一腔室連通,所述出氣通道和所述第三腔室連通,所述第一腔室的底部設(shè)置有進(jìn)氣主孔,所述第三腔室的底部設(shè)置有出氣主孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的ALD反應(yīng)器,其特征在于,兩個(gè)所述隔板設(shè)置在所述進(jìn)氣通道及出氣通道之間,所述進(jìn)氣主孔設(shè)置在所述進(jìn)氣通道和同側(cè)的所述隔板之間,所述出氣主孔設(shè)置在所述出氣通道和同側(cè)的所述隔板之間,所述進(jìn)氣主孔和所述出氣主孔以所述反應(yīng)腔室的底部的第一方向的中心線(xiàn)相對(duì)設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的ALD反應(yīng)器,其特征在于,所述中轉(zhuǎn)腔室的底部設(shè)置有兩個(gè)相對(duì)的凸起;
所述中轉(zhuǎn)腔室的底部和所述真空腔室的底部之間設(shè)置有兩個(gè)相對(duì)的連接塊,所述連接塊頂部設(shè)置有定位槽,所述凸起固定嵌設(shè)在對(duì)應(yīng)的所述連接塊的定位槽中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的ALD反應(yīng)器,其特征在于,兩個(gè)所述凸起分別設(shè)置在所述進(jìn)氣主孔和所述出氣主孔的底部;
所述加工設(shè)備還包括進(jìn)氣管和出氣管,其中:
所述進(jìn)氣管的一端依次穿過(guò)所述真空腔室的底部、位于所述進(jìn)氣主孔底部的所述連接塊以及所述凸起,所述進(jìn)氣管的一端與所述進(jìn)氣主孔連通,所述進(jìn)氣管的另一端用于與進(jìn)氣裝置連通;
所述出氣管的一端依次穿過(guò)所述真空腔室的底部、位于所述出氣主孔底部的所述連接塊以及所述凸起,所述出氣管的一端與所述出氣主孔連通,所述出氣管的另一端用于與出氣裝置連通。
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C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
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